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2N7002AK-Q	文件：288.64 Kbytes Page：15 Pages	60 V, N-channel Trench MOSFET General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. Features and benefits • Logic-level compatible • Extended temperature range Tj = 175 °C • Trench MOSFET technology • El 文件：288.64 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
2N7002AK-QR	文件：288.64 Kbytes Page：15 Pages	60 V, N-channel Trench MOSFET General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. Features and benefits • Logic-level compatible • Extended temperature range Tj = 175 °C • Trench MOSFET technology • El 文件：288.64 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
2N7002AK-Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	60 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Logic-level compatible\n• Extended temperature range Tj = 175 °C\n• Trench MOSFET technology\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection\n• AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia
2N7002AKRA-Q	文件：317.65 Kbytes Page：15 Pages	60 V, dual N-channel Trench MOSFET 1. General description Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an ultra small DFN1412-6 (SOT1268) leadless Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Logic-level compatible • Very fast switching • Trench 文件：317.65 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
2N7002AQ	文件：240.84 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Features and Benefits • Low On-Resistance • Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance 文件：240.84 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
2N7002AX	文件：304.6 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features • N-Channel MOSFET • Low On-Resistance • Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • ESD Protected up to 1kV • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) • Qualified to AEC-Q101 Stand 文件：304.6 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Package name：
SOT23
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
60
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
3000
RDSon [max] @ VGS = 5 V (mΩ)：
3600
Tj [max] (°C)：
175
ID [max] (A)：
0.24
QGD [typ] (nC)：
0.051
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：
0.21000001
Ptot [max] (W)：
0.32
Qr [typ] (nC)：
1
VGSth [typ] (V)：
1.7
Automotive qualified：
Y
Ciss [typ] (pF)：
9.2
Coss [typ] (pF)：
1.6
Release date：
2023-11-30

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