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2N7002AKRA-Q	文件：317.65 Kbytes Page：15 Pages	Marking：D3；Package：SOT1268；60 V, dual N-channel Trench MOSFET 1.Generaldescription DualN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inanultrasmallDFN1412-6 (SOT1268)leadlessSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFET technology. 2.Featuresandbenefits •Logic-levelcompatible •Veryfastswitching •Trench	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
2N7002AQ	文件：240.84 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Description ThisMOSFETisdesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(ON))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. FeaturesandBenefits •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
2N7002AX	文件：304.6 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features •N-ChannelMOSFET •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •ESDProtectedupto1kV •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101Stand	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
2N7002B	文件：242.78 Kbytes Page：6 Pages	N-CHannelEnhancementModeMOSFET	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
2N7002B	文件：886.78 Kbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateMOSFETS FEATURE HighdensitycelldesignforlowRDS(ON) Voltagecontrolledsmallsignalswitch Ruggedandreliable Highsaturationcurrentcapability	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
2N7002B	文件：440.66 Kbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateMOSFETS FEATURE HighdensitycelldesignforlowRDS(ON) Voltagecontrolledsmallsignalswitch Ruggedandreliable Highsaturationcurrentcapability	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
2N7002BK	文件：176.53 Kbytes Page：16 Pages	60V,350mAN-channelTrenchMOSFET Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. Featuresandbenefits ■Logic-levelcompatible ■Veryfastswitching ■TrenchMOSFETtechnology ■ESDprotecti	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
2N7002BK	文件：1.742 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
2N7002BK	文件：7.23256 Mbytes Page：5 Pages	60VN-ChannelEnhancementModeMOSFET Description ●TrenchPowerMVMOSFETtechnology ●Voltagecontrolledsmallsignalswitch ●LowinputCapacitance ●FastSwitchingSpeed ●LowInput/OutputLeakage GeneralFeatures ●VDS60V ●ID300mA ●RDS(ON)(atVGS=10V)	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
2N7002BK	文件：737.7 Kbytes Page：16 Pages	60V,350mAN-channelTrenchMOSFET 1.1Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmall SOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusing TrenchMOSFETtechnology. 1.2Featuresandbenefits Logic-levelcompatible Veryfastswitching TrenchMOSFETtechnology ESDpr	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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