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2N7002K	文件：248 Kbytes Page：4 Pages	丝印：C7K；Package：SOT-23；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：248 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
2N7002K	文件：447.67 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel MOSFET 文件：447.67 Kbytes 页数：7 Pages	MCC	MCC
2N7002K	文件：836.88 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：836.88 Kbytes 页数：6 Pages	WEITRON	WEITRON
2N7002K	文件：249.25 Kbytes Page：12 Pages	丝印：-2K；Package：SOT-23；TrenchMOS??logic level FET 文件：249.25 Kbytes 页数：12 Pages	恩XP	恩XP
2N7002K	文件：508.23 Kbytes Page：4 Pages	丝印：K72；Package：SOT-23；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：508.23 Kbytes 页数：4 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
2N7002K	文件：533.11 Kbytes Page：4 Pages	丝印：K72；Package：SOT-23；N-Ch Small Signal MOSFET with ESD Protection 文件：533.11 Kbytes 页数：4 Pages	SECELECTRONICS 上优电子	SECELECTRONICS
2N7002K	文件：641.31 Kbytes Page：2 Pages	丝印：02K；Package：SOT-23；N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：641.31 Kbytes 页数：2 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
2N7002K_0711	文件：248 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：248 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
2N7002K_08	文件：97.16 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：97.16 Kbytes 页数：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
2N7002K_09	文件：216.07 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：216.07 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY

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技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
60
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
2.5
ID Max (A)：
0.115
PD Max (W)：
0.2
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
7500
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
7500
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
1
Ciss Typ (pF)：
20
Package Type：
SOT-23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2N7002供应商更新时间2021-9-16 14:01:00

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