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2N7002-H	文件：300 bytes Page：1 Pages	Mosfets	FormosaMS 美丽微半导体	FormosaMS
2N7002-HF	文件：122.63 Kbytes Page：4 Pages	MOSFET Features -Power dissipation : 0.35W 文件：122.63 Kbytes 页数：4 Pages	COMCHIP 典琦	COMCHIP
2N7002-HF	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	Comchip 典琦	Comchip
2N7002K	文件：233.86 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET DESCRIPTION The attached spice model describes the typical electrical characteristics of the n-channel vertical DMOS. The subcircuit model is extracted and optimized over the −55 to 125°C temperature ranges under the pulsed 0-V to 10-V gate drive. The saturated output impedance is best fit at the 文件：233.86 Kbytes 页数：3 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
2N7002K	文件：127.12 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Description This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Features and Benefits • Low On-Resistance • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed 文件：127.12 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
2N7002K	文件：161.6 Kbytes Page：5 Pages	60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected FEATURES • RDS(ON), VGS@10V,IDS@500mA=3Ω • RDS(ON), VGS@4.5V,IDS@200mA=4Ω • Advanced Trench Process Technology • High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance • Very Low Leakage Current In Off Condition • Specially Designed for Battery Operated Systems, Solid-State Relays Drivers 文件：161.6 Kbytes 页数：5 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT

技术参数

Package：
SOT-23
ESD：
No
BVDSS(V)：
60
ID(A)：
0.115
PD (W)：
0.2
IDSS@VDSS(V)：
60
IDSSMax.(uA)：
1
IGSSVGS(V)：
±20
IGSSMax.(uA)：
±0.1
VGS(th)Min.(V)：
1.0
VGS(th)Max.(V)：
2.5
VGS(th)@ID(mA)：
0.25
RDSON1Max.(Ω)：
7.5
RDSON1@VGS(V)：
10
RDSON1@ID(A)：
0.5
CissTyp.(pF)：
17
AEC-Q101Qualified：
No

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