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2N7002-H	文件：300 bytes Page：1 Pages	Mosfets	FormosaMS 美丽微半导体	FormosaMS
2N7002-HF	文件：122.63 Kbytes Page：4 Pages	MOSFET Features -Power dissipation : 0.35W 文件：122.63 Kbytes 页数：4 Pages	COMCHIP 典琦	COMCHIP
2N7002-HF	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	Comchip 典琦	Comchip
2N7002T	文件：85.79 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Description and Applications This new generation MOSFET has been designed to minimize the on state resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. • DC-DC Converters • Power management functions • Battery 文件：85.79 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
2N7002W	文件：68.63 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Description and Applications This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. • Motor Control • Power Management Functions Features and Benefits • Low-On Re 文件：68.63 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
X2N7002	文件：24.81 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel Enhancement-Mode MOS Transistor DESCRIPTION Calogic’s 2N7002 device type is a vertical DMOS FET transistor housed in a surface mount SOT-23 for micro-assembly applications. The device is an excellent choice for switching applications where breakdown (BV) and low on-resistance are important. 文件：24.81 Kbytes 页数：2 Pages	CALOGIC	CALOGIC

技术参数

Package：
SOT-23
ESD：
No
BVDSS(V)：
60
ID(A)：
0.115
PD (W)：
0.2
IDSS@VDSS(V)：
60
IDSSMax.(uA)：
1
IGSSVGS(V)：
±20
IGSSMax.(uA)：
±0.1
VGS(th)Min.(V)：
1.0
VGS(th)Max.(V)：
2.5
VGS(th)@ID(mA)：
0.25
RDSON1Max.(Ω)：
7.5
RDSON1@VGS(V)：
10
RDSON1@ID(A)：
0.5
CissTyp.(pF)：
17
AEC-Q101Qualified：
No

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