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2N6388	文件：530.51 Kbytes Page：4 Pages	NPN Darlington Power Transistor Features • Halogen free available upon request by adding suffix -HF • Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating • Moisure Sensitivity Level 1 • Marking:2N6388 文件：530.51 Kbytes 页数：4 Pages	MCC	MCC
2N6388	文件：94.87 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·Complement to type 2N6666/6667/6668 ·DARLINGTON ·High DC current gain ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·Designed for general-purpose amplifier and low speed switching applications 文件：94.87 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N6388	文件：94.07 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·Complement to type 2N6666/6667/6668 ·DARLINGTON ·High DC current gain ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·Designed for general-purpose amplifier and low speed switching applications 文件：94.07 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N6388	文件：49.2 Kbytes Page：4 Pages	SILICON NPN POWER DARLINGTON TRANSISTOR DESCRIPTION The device is a silicon Epitaxial-Base NPN power transistor in monolithic Darlington configuration mounted in Jedec TO-220 plastic package. It is inteded for use in low and medium frequency power applications. ■ STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPE ■ NPN DARLINGTON ■ H 文件：49.2 Kbytes 页数：4 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
2N6388G	文件：128.21 Kbytes Page：6 Pages	Plastic Medium-Power Silicon Transistors These devices are designed for general−purpose amplifier and low−speed switching applications. Features • High DC Current Gain − hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc • Collector−Emitter Sustaining Voltage − @ 100 mAdc VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) − 2N6387 = 80 Vdc (Min) − 2N6388 • Low Collector−Emit 文件：128.21 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6383	文件：205.5 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR 文件：205.5 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N6383	文件：159.59 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：159.59 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2N6383	文件：61.48 Kbytes Page：2 Pages	NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR 文件：61.48 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
2N6383	文件：115.95 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：115.95 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N6383_15	文件：159.59 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：159.59 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC

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晶体管资料

型号：
2N6383
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
10A
最大工作频率：
>20MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
BDV67,BDW83,BDX65,BDX83,BDX85,MJ3000,TIP140,
最大耗散功率：
100W
放大倍数：
图片代号：
E-44
vtest：
40
htest：
20000100
atest：
10
wtest：
100

产品属性

产品编号：
2N6383
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
描述：
NPN TRANSISTOR

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