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2N6386	文件：167.01 Kbytes Page：3 Pages	DARLINGTON SILICON POWER TRANSISTORS 8 AND 10 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS NPN SILICON 40-80 VOLTS 65 WATTS 文件：167.01 Kbytes 页数：3 Pages	BOCA 博卡	BOCA
2N6386	文件：71.78 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5294, 5296 and 5298 types are silicon NPN transistors that are manufactured by the epitaxial base process and designed for applications that require power amplifier and medium switching capablilites. 文件：71.78 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N6386	文件：160.99 Kbytes Page：3 Pages	POWER TRANSISTORS(65W) 8 AND 10 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS NPN SILICON 40-80 VOLTS 65 WATTS 文件：160.99 Kbytes 页数：3 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
2N6386	文件：347.98 Kbytes Page：8 Pages	Power Transistors Power Transistors 文件：347.98 Kbytes 页数：8 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N6386	文件：163.85 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·Complement to type 2N6666/6667/6668 ·DARLINGTON ·High DC current gain ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·Designed for general-purpose amplifier and low speed switching applications 文件：163.85 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2N6387	文件：71.78 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5294, 5296 and 5298 types are silicon NPN transistors that are manufactured by the epitaxial base process and designed for applications that require power amplifier and medium switching capablilites. 文件：71.78 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N6387	文件：167.01 Kbytes Page：3 Pages	DARLINGTON SILICON POWER TRANSISTORS 8 AND 10 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS NPN SILICON 40-80 VOLTS 65 WATTS 文件：167.01 Kbytes 页数：3 Pages	BOCA 博卡	BOCA
2N6387	文件：92.64 Kbytes Page：4 Pages	NPN PLASTIC MEDIUM DARLINGTON POWER TRANSISTORS Designed for General Purpose Amplifier and Low Speed Switching Applications 文件：92.64 Kbytes 页数：4 Pages	CDIL	CDIL
2N6387	文件：164.24 Kbytes Page：6 Pages	DARLINGTON NPN SILICON POWER TRANSISTORS Plastic Medium-Power Silicon Transistors These devices are designed for general-purpose amplifier and low-speed switching applications. Features • High DC Current Gain - hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc • Collector-Emitter Sustaining Voltage - @ 100 mAdc VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) - 2N6387 文件：164.24 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6387	文件：128.21 Kbytes Page：6 Pages	Plastic Medium-Power Silicon Transistors These devices are designed for general−purpose amplifier and low−speed switching applications. Features • High DC Current Gain − hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc • Collector−Emitter Sustaining Voltage − @ 100 mAdc VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) − 2N6387 = 80 Vdc (Min) − 2N6388 • Low Collector−Emit 文件：128.21 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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晶体管资料

型号：
2N6383
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
10A
最大工作频率：
>20MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
BDV67,BDW83,BDX65,BDX83,BDX85,MJ3000,TIP140,
最大耗散功率：
100W
放大倍数：
图片代号：
E-44
vtest：
40
htest：
20000100
atest：
10
wtest：
100

产品属性

产品编号：
2N6383
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
描述：
NPN TRANSISTOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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