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2N6384	文件：55.72 Kbytes Page：2 Pages	NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/523 文件：55.72 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
2N6384	文件：51.69 Kbytes Page：1 Pages	POWER TRANSISTORS TO-3 CASE Power Transistors TO-3 Case (Continued) 文件：51.69 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N6384	文件：210.36 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N3683 SERIES types are NPN Silicon Power Darlington Transistors designed for power amplifier applications. MARKING: FULL PART NUMBER 文件：210.36 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N6384	文件：146.93 Kbytes Page：3 Pages	POWER TRANSISTORS(10A,100W) 10 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR 40-80 VOLTS 100 WATTS 文件：146.93 Kbytes 页数：3 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
2N6384	文件：347.98 Kbytes Page：8 Pages	Power Transistors Power Transistors 文件：347.98 Kbytes 页数：8 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N6384	文件：132.11 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • Complement to type 2N6648/6649/6650 • DARLINGTON • High DC current gain APPLICATIONS • Designed for low and medium frequency power application such as power switching audio amplifer ,hammer drivers and shunt and series regulators 文件：132.11 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N6384	文件：159.59 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • Complement to type 2N6648/6649/6650 • DARLINGTON • High DC current gain APPLICATIONS • Designed for low and medium frequency power application such as power switching audio amplifer ,hammer drivers and shunt and series regulators 文件：159.59 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2N6384	文件：114.37 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • Complement to type 2N6648/6649/6650 • DARLINGTON • High DC current gain APPLICATIONS • Designed for low and medium frequency power application such as power switching audio amplifer ,hammer drivers and shunt and series regulators 文件：114.37 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N6385	文件：51.69 Kbytes Page：1 Pages	POWER TRANSISTORS TO-3 CASE Power Transistors TO-3 Case (Continued) 文件：51.69 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N6385	文件：55.72 Kbytes Page：2 Pages	NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/523 文件：55.72 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI

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晶体管资料

型号：
2N6383
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
10A
最大工作频率：
>20MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
BDV67,BDW83,BDX65,BDX83,BDX85,MJ3000,TIP140,
最大耗散功率：
100W
放大倍数：
图片代号：
E-44
vtest：
40
htest：
20000100
atest：
10
wtest：
100

产品属性

产品编号：
2N6383
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
描述：
NPN TRANSISTOR

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