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SI PNP POWER BJT 3 AMPERE POWER TRANSISTORS PNP SILICON 40, 60, 80 VOLTS 6 WATTS 文件：79.67 Kbytes 页数：1 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | NJSEMI | ||
POWER TRANSISTORS PNP SILICON 3 AMPERE POWER TRANSISTORS PNP SILICON 40, 60, 80 VOLTS 6 WATTS 文件：153.1 Kbytes 页数：1 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | NJSEMI | ||
Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION: These power transistors are produced by PPCs DOUBLE DIFFUSED PLANAR process. This technology produces high voltage devices with excellent switching speeds, frequency response, gain linearity, saturation voltages, high current gain, and safe operating areas. They are intended for use 文件：56.07 Kbytes 页数：3 Pages | MICROSEMI 美高森美 | MICROSEMI | ||
RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS DESCRIPTION: The 2N6304 is a silicon NPN transistor designed primarily for use in high gain, low noise general-purpose UHF amplifiers. Features • Silicon RF NPN, TO-72, UHF general purpose Low Noise Transistor • Noise Figure = 5.0 dB (typ) @ f = 450 MHz • High FT - 1.4 GHz (min) @ IC = 10 mAd 文件：115.58 Kbytes 页数：4 Pages | ADPOW | ADPOW | ||
BIPOLAR NPN UHF/MICROWAVE TRANSISTOR Description: Bipolar NPN UHF/Microwave Transistor 文件：97.05 Kbytes 页数：1 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | NJSEMI | ||
RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS DESCRIPTION: Designed primarily for use in High Gain, low noise general purpose UHF amplifiers. Features • Silicon RF NPN, TO-72, UHF general purpose Low Noise Transistor • Noise Figure = 5.0 dB (typ) @ f = 450 MHz • High FT - 1.4 GHz (min) @ IC = 10 mAdc • Maximum Available Gain = 14 dB (mi 文件：86 Kbytes 页数：4 Pages | MICROSEMI 美高森美 | MICROSEMI | ||
Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • High breakdown voltage • High power dissipation APPLICATIONS • Designed for high voltage inverters, switching regulators,line operated amplifiers, and switching power supplies applications 文件：129.1 Kbytes 页数：3 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | ||
HIGH VOLTAGE NPN SILICON POWER TRANSISTORS
文件：231.2 Kbytes 页数：2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | NJSEMI | ||
Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • High breakdown voltage • High power dissipation APPLICATIONS • Designed for high voltage inverters, switching regulators,line operated amplifiers, and switching power supplies applications 文件：110.68 Kbytes 页数：3 Pages | SAVANTIC | SAVANTIC | ||
Power Transistors Power Transistors 文件：347.98 Kbytes 页数：8 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | ETC |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性质：
开关管 （S）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
80V
- 最大电流允许值：
3A
- 最大工作频率：
>60MHZ
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BFT35,BSS46,2N5151,2N6191,3CK9E,
- 最大耗散功率：
1W
- 放大倍数：
- 图片代号：
C-62
- vtest：
80
- htest：
60000100
- atest：
3
- wtest：
1
产品属性
- 产品编号：
2N6303
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
750mV @ 150mA， 1.5A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
35 @ 500mA，1V
- 频率 - 跃迁：
60MHz
- 工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-205AA，TO-5-3 金属罐
- 供应商器件封装：
TO-5AA
- 描述：
POWER BJT
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MOT |
24+ |
TO-39 |
120000 |
询价 | |||
MOTOROLA |
24+ |
CAN3 |
5600 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
MOT |
24+ |
CAN3 |
8858 |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
询价 | ||
MOTOROLA/摩托罗拉 |
专业铁帽 |
CAN3 |
5600 |
原装铁帽专营,代理渠道量大可订货 |
询价 | ||
MOTOROLA/摩托罗拉 |
专业铁帽 |
CAN3 |
67500 |
铁帽原装主营-可开原型号增税票 |
询价 | ||
MOT |
24+ |
CAN3 |
6540 |
原装现货/欢迎来电咨询 |
询价 | ||
MOT |
2023+ |
CAN |
50000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
MOT |
23+24 |
TO-39 |
29850 |
原装原盘原标.保证每一片都来自原厂 |
询价 | ||
ASI |
23+ |
NA |
280 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | ||
MOTOROLA/摩托罗拉 |
23+ |
CAN |
40700 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
询价 |
