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2N6351

NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR

NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/472

文件:55.76 Kbytes 页数:2 Pages

MICROSEMI

美高森美

2N6351

NPN POWER DARLINGTON

5 AMP SWITCHING TRANSISTORS

文件:224.61 Kbytes 页数:1 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2N6351

Darlington NPN Silicon Power 80V to 150V, 5A

This specification covers the performance requirements for NPN silicon power Darlington, 2N6350, 2N6351, 2N6352 and 2N6353 transistors. Three levels of product assurance (JAN, JANTX and JANTXV) are provided for each encapsulated device type as specified in MIL-PRF-19500/472. One level of product ass

Microchip

微芯科技

2N6351

Package:TO-205AC,TO-33-4 金属罐;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN DARL 150V 5A TO33

MICROCHIP

微芯科技

2N6351E3

Package:TO-205AC,TO-33-4 金属罐;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:POWER BJT

MICROCHIP

微芯科技

晶体管资料

  • 型号:

    2N6351

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl

  • 性质:

    开关管 (S)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    150V

  • 最大电流允许值:

    5A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    4

  • 可代换的型号:

  • 最大耗散功率:

    5W

  • 放大倍数:

    β>1000

  • 图片代号:

    D-13

  • vtest:

    150

  • htest:

    999900

  • atest:

    5

  • wtest:

    5

产品属性

  • 产品编号:

    2N6351

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    2.5V @ 10mA,5A

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 5A,5V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-205AC,TO-33-4 金属罐

  • 供应商器件封装:

    TO-33

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 150V 5A TO33

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
MICROCHIP(美国微芯)
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更多2N6351供应商 更新时间2026-3-10 23:00:00