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2N6304	文件：86 Kbytes Page：4 Pages	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS DESCRIPTION: Designed primarily for use in High Gain, low noise general purpose UHF amplifiers. Features • Silicon RF NPN, TO-72, UHF general purpose Low Noise Transistor • Noise Figure = 5.0 dB (typ) @ f = 450 MHz • High FT - 1.4 GHz (min) @ IC = 10 mAdc • Maximum Available Gain = 14 dB (mi 文件：86 Kbytes 页数：4 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
2N6304	文件：115.58 Kbytes Page：4 Pages	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS DESCRIPTION: The 2N6304 is a silicon NPN transistor designed primarily for use in high gain, low noise general-purpose UHF amplifiers. Features • Silicon RF NPN, TO-72, UHF general purpose Low Noise Transistor • Noise Figure = 5.0 dB (typ) @ f = 450 MHz • High FT - 1.4 GHz (min) @ IC = 10 mAd 文件：115.58 Kbytes 页数：4 Pages	ADPOW	ADPOW
2N6304	文件：97.05 Kbytes Page：1 Pages	BIPOLAR NPN UHF/MICROWAVE TRANSISTOR Description: Bipolar NPN UHF/Microwave Transistor 文件：97.05 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6304	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 15V 0.05A 4-Pin TO-72	NJS 新泽西半导体	NJS

晶体管资料

型号：
2N6304
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
超高频/特高频（UHF）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
0.05A
最大工作频率：
>1.4GHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BFR15,BFR37,BFS55,BFT66,BFT67,BFW30,BFW99,BFX73,3DG82A,
最大耗散功率：
0.2W
放大倍数：
图片代号：
D-13
vtest：
30
htest：
1400100000
atest：
0.05
wtest：
0.2

技术参数

Number of Elements per Chip：
1
Minimum DC Current Gain：
25@2mA@5V
Maximum Transition Frequency：
1400(Min)MHz
Maximum Emitter Base Voltage：
3.5V
Maximum DC Collector Current：
0.05A
Maximum Collector Emitter Voltage：
15V
Maximum Collector Base Voltage：
30V
Configuration：
Single

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