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2N6322	文件：93.82 Kbytes Page：2 Pages	30 AMP NPN HIGH VOLTAGE / HIGH ENERGY 200 VOLTS 30 AMP HIGH SPEED NPN TRANSISTOR 150 VOLTS 30 AMP NPN HIGH VOLTAGE/ HIGH ENERGY 200 VOLTS 30 AMP HIGH POWER NPN TRANSISTORS 200 AND 250 VOLTS 文件：93.82 Kbytes 页数：2 Pages	SSDI	SSDI
2N6322	文件：130.85 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • High current and high power capability • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • For use in high current ,high power applications 文件：130.85 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N6322	文件：110.21 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • High current and high power capability • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • For use in high current ,high power applications 文件：110.21 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N6322	文件：111.79 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：111.79 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N6322	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 200V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-3	NJS 新泽西半导体	NJS
2N6322	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-204AA，TO-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：POWER BJT	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP

晶体管资料

型号：
2N6322
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
300V
最大电流允许值：
30A
最大工作频率：
>10MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
BUR21,BUR22,BUV22,BUV23,BUX22,BUX23,3DK210F,
最大耗散功率：
350W
放大倍数：
图片代号：
E-44
vtest：
300
htest：
10000100
atest：
30
wtest：
350

产品属性

产品编号：
2N6322
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-204AA，TO-3
供应商器件封装：
TO-204AD（TO-3）
描述：
POWER BJT

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更多2N6322供应商更新时间2026-4-20 16:30:00

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