2N6303中文资料PDF规格书
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
2N6303三极管、2N6303晶体管、2N6303晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-PNP
- 性质:
开关管 (S)
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
80V
- 最大电流允许值:
3A
- 最大工作频率:
>60MHZ
- 引脚数:
3
- 可代换的型号:
BFT35,BSS46,2N5151,2N6191,3CK9E,
- 最大耗散功率:
1W
- 放大倍数:
- 图片代号:
C-62
- vtest:
80
- htest:
60000100
- atest:
3
- wtest:
1
2N6303规格书详情
DESCRIPTION:
These power transistors are produced by PPCs DOUBLE DIFFUSED PLANAR process. This technology produces high voltage devices with excellent switching speeds, frequency response, gain linearity, saturation voltages, high current gain, and safe operating areas. They are intended for use in Commercial, Industrial, and Military power switching, amplifier, and regulator applications.
FEATURES:
• Collector-Emitter Sustaining Voltage: VCEO(sus) = - 80 Vdc (Min)
• DC Current Gain: hFE = 30-150 @ IC = 1.5 Adc
• Low Collector-Emitter Saturation Voltage: VCE(sat) = - 0.75 Vdc @ IC = 1.5 Adc
• High Current-Gain - Bandwidth Product: fT = 90 MHz (Typ)
APPLICATIONS:
• High-Speed Switching
• Medium-Current Switching
• High-Frequency Amplifiers
产品属性
- 产品编号:
2N6303
- 制造商:
Microchip Technology
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
750mV @ 150mA, 1.5A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
1µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
35 @ 500mA,1V
- 频率 - 跃迁:
60MHz
- 工作温度:
-65°C ~ 200°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-205AA,TO-5-3 金属罐
- 供应商器件封装:
TO-5AA
- 描述:
POWER BJT
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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