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2N6301中文资料PDF规格书

2N6301
厂商型号

2N6301

参数属性

2N6301 封装/外壳为TO-213AA,TO-66-2;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:PNP TRANSISTOR

功能描述

POWER TRANSISTORS(8A, 75W)

文件大小

177.24 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 MOSPEC
企业简称

MOSPEC

中文名称

MOSPEC官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二

更新时间

2024-5-2 23:00:00

晶体管资料

  • 型号:

    2N6301

  • 别名:

    2N6301三极管、2N6301晶体管、2N6301晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl+Di

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    80V

  • 最大电流允许值:

    8A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    2

  • 可代换的型号:

    BD269,BD647,BD699,BD899,BDW73B,BDX53B,FH7C,

  • 最大耗散功率:

    75W

  • 放大倍数:

    β>750

  • 图片代号:

    E-8

  • vtest:

    80

  • htest:

    999900

  • atest:

    8

  • wtest:

    75

2N6301规格书详情

DARLINGTON 8 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60 - 80 Volts 75 Watts

产品属性

  • 产品编号:

    2N6301

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    3V @ 80mA,8A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    750 @ 4A,3V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-213AA,TO-66-2

  • 供应商器件封装:

    TO-66(TO-213AA)

  • 描述:

    PNP TRANSISTOR

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NES
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