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2N6302

Silicon NPN Power Transistors

文件:112.35 Kbytes 页数:3 Pages

SAVANTIC

2N6302

Bipolar NPN Device

文件:11.29 Kbytes 页数:1 Pages

SEME-LAB

2N6303

Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO39

文件:15.36 Kbytes 页数:1 Pages

SEME-LAB

2N6306

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3

文件:16.309 Kbytes 页数:1 Pages

SEME-LAB

2N6307

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3

文件:15.51 Kbytes 页数:1 Pages

SEME-LAB

2N6307

Silicon NPN Power Transistors

文件:112.42 Kbytes 页数:3 Pages

SAVANTIC

2N6308

Silicon NPN Power Transistors

文件:112.62 Kbytes 页数:3 Pages

SAVANTIC

2N6308

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3

文件:16.309 Kbytes 页数:1 Pages

SEME-LAB

2N6300

75W NPN Darlington BJT Transistor

This BJT is packaged in TO-66 package.\n\n Available as High Reliability device per MIL-PRF-19500 indicate –HR suffix after the part number. Contact for -HR flow. Add \"PBF\" suffix for Pb-free lead finish.

Digitron

2N6300

Bipolar Junction Transistors

TT Electronics

晶体管资料

  • 型号:

    2N6303

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性质:

    开关管 (S)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    80V

  • 最大电流允许值:

    3A

  • 最大工作频率:

    >60MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BFT35,BSS46,2N5151,2N6191,3CK9E,

  • 最大耗散功率:

    1W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    C-62

  • vtest:

    80

  • htest:

    60000100

  • atest:

    3

  • wtest:

    1

产品属性

  • 产品编号:

    2N6303

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    750mV @ 150mA, 1.5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    35 @ 500mA,1V

  • 频率 - 跃迁:

    60MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-205AA,TO-5-3 金属罐

  • 供应商器件封装:

    TO-5AA

  • 描述:

    POWER BJT

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多2N630供应商 更新时间2026-1-17 16:30:00