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2N6274 | POWER TRANSISTORS NPN SILICON High-Power NPN Silicon Transistors . . . designed for use in industrial–military power amplifier and switching circuit applications. • High Collector Emitter Sustaining — VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) — 2N6274 = 120 Vdc (Min) — 2N62 文件：169.38 Kbytes 页数：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | |
2N6274 | isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • High Switching Speed • High DC Current Gain- : hFE= 30-120@ IC= 20A • Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)=1.0V(Min.)@ IC= 20A • Complement to Type 2N6377 APPLICATIONS • Designed for use in industrial-military power amplifier and switching circuit ap 文件：263.94 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
2N6274 | NPN POWER TRANSISTORS NPN POWER TRANSISTORS 50 AMP SWITCHING • 25 W. Continuous Power • VCEO(sus) to 150 V. 文件：191.4 Kbytes 页数：1 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | NJSEMI | |
2N6274 | HIGH-POWER NPN SILICON TRANSISTORS NPN POWER TRANSISTORS 50 AMP SWITCHING • 25 W. Continuous Power • VCEO(sus) to 150 V. 文件：248.59 Kbytes 页数：2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | NJSEMI | |
2N6274 | PNP POWER SILICON TRANSISTOR NPN POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/514 文件：64.39 Kbytes 页数：2 Pages | MICROSEMI 美高森美 | MICROSEMI | |
2N6274 | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 文件：15.19 Kbytes 页数：1 Pages | SEME-LAB | SEME-LAB | |
2N6274 | NPN POWER SILICON TRANSISTOR 文件：125.14 Kbytes 页数：3 Pages | MICROSEMI 美高森美 | MICROSEMI | |
2N6274 | NPN Silicon Power 150V, 50A This specification covers the performance requirements for NPN silicon, power, 2N6274 and 2N6277 transistors. Three levels of product assurance (JAN, JANTX and JANTXV) are provided for each encapsulated device as specified in MIL-PRF-19500/514. The device package outlines are as follows: TO-3 for al | Microchip 微芯科技 | Microchip | |
2N6274 | POWER TRANSISTORS NPN SILICON | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | |
2N6274 | Bipolar Junction Transistors | TT Electronics | TT Electronics |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
开关管 （S）_功率放大 （L）
- 封装形式：
贴片封装
- 极限工作电压：
120V
- 最大电流允许值：
50A
- 最大工作频率：
>30MHZ
- 引脚数：
2
- 可代换的型号：
2N6032,2N6033,2N6322,3DK210C,
- 最大耗散功率：
250W
- 放大倍数：
- 图片代号：
E-44
- vtest：
120
- htest：
30000100
- atest：
50
- wtest：
250
产品属性
- 产品编号：
2N6274
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 描述：
NPN TRANSISTOR
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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