零件编号 | 下载&订购 | 功能描述 | 制造商&上传企业 | LOGO |
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2N6301 | POWER TRANSISTORS(8A, 75W) DARLINGTON8AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60-80Volts75Watts | MOSPEC MOSPEC | ||
2N6301 | DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS DARLINGTON8AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60-80Volts75Watts | bocaBoca semiconductor corporation 博卡博卡半导体公司 | ||
2N6301 | Power Transistors PowerTransistorsTO-66Case | CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体 | ||
2N6301 | Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-66package •DARLINGTON •Lowcollectorsaturationvoltage •Complementtotype2N6298/6299 APPLICATIONS •Generalpurposepoweramplifierandlowfrequencyswitchingapplications | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ||
2N6301 | Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-66package •DARLINGTON •Lowcollectorsaturationvoltage •Complementtotype2N6298/6299 APPLICATIONS •Generalpurposepoweramplifierandlowfrequencyswitchingapplications | SAVANTIC Savantic, Inc. | ||
2N6301 | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS DARLINGTON8AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS 60-80VOLTS75,100WATTS | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司 | ||
2N6301 | COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS PowerTransistorsTO-66Case | CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体 | ||
2N6301 | NPN Darlington Power Silicon Transistor Features •AvailableinJAN,JANTX,JANTXVperMIL-PRF-19500/518 •TO-66(TO-213AA)Package | MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc. | ||
2N6301 | NPN DARLINGTON POWER | MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司 | ||
2N6301 | DARLINGTON SILICON POWER TRANSISTORS | SEME-LAB Seme LAB | ||
2N6301 | PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR | MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司 | ||
2N6301 | Silicon NPN Power Transistors | SAVANTIC Savantic, Inc. | ||
2N6301 | 包装:管件 封装/外壳:TO-213AA,TO-66-2 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:PNP TRANSISTOR | MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司 | ||
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS | SEME-LAB Seme LAB | |||
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS | SEME-LAB Seme LAB | |||
包装:散装 封装/外壳:TO-213AA,TO-66-2 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN DARL 80V 500UA TO66 | MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司 | |||
包装:散装 封装/外壳:TO-213AA,TO-66-2 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:POWER BJT | MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司 | |||
PNPDARLINGTONPOWERSILICONTRANSISTOR | MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司 | |||
PNPDARLINGTONPOWERSILICONTRANSISTOR | MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司 |
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-N+Darl+Di
- 性质:
低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
80V
- 最大电流允许值:
8A
- 最大工作频率:
<1MHZ或未知
- 引脚数:
2
- 可代换的型号:
BD269,BD647,BD699,BD899,BDW73B,BDX53B,FH7C,
- 最大耗散功率:
75W
- 放大倍数:
β>750
- 图片代号:
E-8
- vtest:
80
- htest:
999900
- atest:
8
- wtest:
75
产品属性
- 产品编号:
2N6301
- 制造商:
Microchip Technology
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
管件
- 晶体管类型:
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
3V @ 80mA,8A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
500µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
750 @ 4A,3V
- 工作温度:
-55°C ~ 200°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-213AA,TO-66-2
- 供应商器件封装:
TO-66(TO-213AA)
- 描述:
PNP TRANSISTOR
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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TO-66 |
10000 |
全新 |
询价 | ||||
MOTO |
1635+ |
TO-66 |
6000 |
好渠道!好价格!一片起卖! |
询价 | ||
MOTOROLA |
16+ |
TO-66 |
1500 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
BOCA |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
询价 | ||
MOTOROLA/摩托罗拉 |
专业铁帽 |
TO-66 |
1500 |
原装铁帽专营,代理渠道量大可订货 |
询价 | ||
MOTOROLA/摩托罗拉 |
20+ |
TO-66 |
67500 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
MOTO |
2023+ |
TO-66 |
80000 |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
询价 | ||
MOTO |
21+ |
TO-66 |
35210 |
一级代理/放心采购 |
询价 | ||
Microsemi |
1942+ |
N/A |
908 |
加我qq或微信,了解更多详细信息,体验一站式购物 |
询价 | ||
NES |
23+ |
TO-66 |
90000 |
只做原装 全系列供应 价格优势 可开增票 |
询价 |