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2N6338	文件：57.33 Kbytes Page：2 Pages	NPN POWER SILICON TRANSISTOR NPN POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/509 文件：57.33 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
2N6338	文件：155.37 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTORS NPN SILICON . . . designed for use in industrial−military power amplifier and switching circuit applications. • High Collector−Emitter Sustaining Voltage − VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) − 2N6338 = 150 Vdc (Min) − 2N6341 • High DC Current Gain − hFE = 30 − 120 @ IC = 10 Adc = 12 (Min) @ IC = 25 Adc • Low Collec 文件：155.37 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6338	文件：135.54 Kbytes Page：5 Pages	High-Power NPN Silicon Transistors . . . designed for use in industrial−military power amplifier and switching circuit applications. • High Collector−Emitter Sustaining Voltage − VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) − 2N6338 = 150 Vdc (Min) − 2N6341 • High DC Current Gain − hFE = 30 − 120 @ IC = 10 Adc = 12 (Min) @ IC = 25 Adc • Low Collec 文件：135.54 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6338	文件：134.72 Kbytes Page：3 Pages	HIGH-POWER NPN SILICON TRANSISTORS 25 AMPERE POWER TRANSISTOR NPN SILICON 100-150 VOLTS 200 WATTS 文件：134.72 Kbytes 页数：3 Pages	BOCA 博卡	BOCA
2N6338	文件：128.77 Kbytes Page：3 Pages	POWER TRANSISTOR(25A,200W) 25 AMPERE POWER TRANSISTOR NPN SILICON 100-150 VOLTS 200 WATTS 文件：128.77 Kbytes 页数：3 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
2N6338	文件：49.64 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 100V(Min)- 2N6338 = 120V(Min)- 2N6339 = 140V(Min)- 2N6340 = 160V(Min)- 2N6341 • High Switching Speed • Low Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.0V(Max)@ IC= 10A APPLICATIONS •Designed for use in industrial-military power amplifier 文件：49.64 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N6338	文件：160.67 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • High DC current gain • Fast switching times • Low collector saturation voltage • Complement to type 2N6436~38 APPLICATIONS • For use in industrial-military power amplifier and switching circuit applications 文件：160.67 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2N6338	文件：198.75 Kbytes Page：2 Pages	25 AMPERE POWER TRANSISTORS 25 AMPERE POWER TRANSISTORS NPN SILICON 100, 120, 140, 150 VOLTS 200 WATTS 文件：198.75 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6338	文件：170.97 Kbytes Page：2 Pages	25 AMPERE NPN SILICON POWER TRANSISTOR 25 AMPERE POWER TRANSISTORS NPN SILICON 100, 120, 140, 150 VOLTS 200 WATTS 文件：170.97 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6338	文件：115.38 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • Fast switching times • Low collector saturation voltage • Complement to type 2N6436~38 APPLICATIONS • For use in industrial-military power amplifier and switching circuit applications 文件：115.38 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC

晶体管资料

型号：
2N6338
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
120V
最大电流允许值：
25A
最大工作频率：
>40MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
BDW30,2N5671,2N5672,2N6272,2N6274,2N6275,2N6276,2N6277,3DK210C,
最大耗散功率：
200W
放大倍数：
图片代号：
E-44
vtest：
120
htest：
40000100
atest：
25
wtest：
200

产品属性

产品编号：
2N6338
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.8V @ 2.5A，25A
电流 - 集电极截止（最大值）：
50µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 10A，2V
频率 - 跃迁：
40MHz
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-204AA，TO-3
供应商器件封装：
TO-204（TO-3）
描述：
TRANS NPN 100V 25A TO204

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2N6338供应商更新时间2026-4-17 18:03:00

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