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2N6213 | PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/461 文件：58.31 Kbytes 页数：2 Pages | MICROSEMI 美高森美 | MICROSEMI | |
2N6213 | MEDIUM-POWER HIGH VOLTAGE PNP POWER TRANSISTORS MEDIUM-POWER HIGH VOLTAGE PNP POWER TRANSISTORS 2 AMPERE POWER TRANSISTORS PNP SILICON 225-350 VOLTS 35 WATTS 文件：147.2 Kbytes 页数：3 Pages | BOCA 博卡 | BOCA | |
2N6213 | Power Transistors Power Transistors TO-66 Case 文件：51.32 Kbytes 页数：1 Pages | CENTRAL | CENTRAL | |
2N6213 | POWER TRANSISTORS(2A, 35W) MEDIUM-POWER HIGH VOLTAGE PNP POWER TRANSISTORS 2 AMPERE POWER TRANSISTORS PNP SILICON 225-350 VOLTS 35 WATTS 文件：142.32 Kbytes 页数：3 Pages | MOSPEC 统懋 | MOSPEC | |
2N6213 | MEDIUM-POWER HIGH-VOLTAGE PNP POWER TRANSISTORS MEDIUM-POWER HIGH-VOLTAGE PNP POWER TRANSISTORS 2 AMPERE POWER TRANSISTORS PNP SILICON 225-350 VOLTS 35 WATTS 文件：222.14 Kbytes 页数：2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | NJSEMI | |
2N6213 | SI PNP POWER BJT MEDIUM-POWER HIGH-VOLTAGE PNP POWER TRANSISTORS 2 AMPERE POWER TRANSISTORS PNP SILICON 225-350 VOLTS 35 WATTS 文件：76.67 Kbytes 页数：1 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | NJSEMI | |
2N6213 | isc Silicon PNP Power Transistor 文件：265.94 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
2N6213 | PNP Silicon High-Power -60V to -80V, -2A This specification covers the performance requirements for PNP silicon, high-voltage, 2N6211, 2N6212, 2N6213 and 2N6213A transistors. Four levels of product assurance are provided for each encapsulated device (JAN, JANTX, JANTXV and JANS) as specified in MIL-PRF-19500/461. Two levels of product assu | Microchip 微芯科技 | Microchip | |
2N6213 | Package：TO-213AA，TO-66-2；包装：散装 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS PNP 350V 2A TO66 | CENTRAL | CENTRAL | |
2N6213 | 包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP | MICROCHIP 微芯科技 | MICROCHIP |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
400V
- 最大电流允许值：
2A
- 最大工作频率：
>20MHZ
- 引脚数：
2
- 可代换的型号：
BUX66C,2N5345,2SA1009A,2SA1236,2SA1397,
- 最大耗散功率：
35W
- 放大倍数：
- 图片代号：
E-8
- vtest：
400
- htest：
20000100
- atest：
2
- wtest：
35
产品属性
- 产品编号：
2N6213
- 制造商：
Central Semiconductor Corp
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2V @ 125mA，1A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
5mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 1A，4V
- 频率 - 跃迁：
20MHz
- 工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-213AA，TO-66-2
- 供应商器件封装：
TO-66
- 描述：
TRANS PNP 350V 2A TO66
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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