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2N6289	文件：101.31 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIAL-BASE, SILICON N-P-N AND P-N-P VERSAWATT TRANSISTORS Epitaxial-Base, Silicon NPN and PNP VERSAWATT Transistors General-Purpose Medium-Power Types for Switching and Amplifier Applications 文件：101.31 Kbytes 页数：3 Pages	BOCA 博卡	BOCA
2N6289	文件：267.08 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • DC Current Gain- : hFE = 30-150@ IC= 3A • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 30V(Min) • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS • Designed for use in general-purpose amplifier and switching applications 文件：267.08 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N6289	文件：193.33 Kbytes Page：2 Pages	MAXIMUM RATINGS, ABSOLUTE-MAXIMUM VALUOS Epitaxial-Base, Silicon NPN and PNP VERSAWATT Transistors 文件：193.33 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6289	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 30V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-213AA	NJS	NJS

晶体管资料

型号：
2N6289
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
7A
最大工作频率：
>4MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD243,BD543,BD795,BD805,
最大耗散功率：
40W
放大倍数：
图片代号：
B-11
vtest：
40
htest：
4000100
atest：
7
wtest：
40

技术参数

Maximum Transition Frequency：
10(Min)MHz
Maximum Power Dissipation：
1800mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum DC Collector Current：
7A
Maximum Collector Emitter Voltage：
30V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
1@0.3A@3A3.5@3A@7A
Maximum Collector Base Voltage：
40V
Material：
Si
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Power

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