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2N6285

POWER TRANSISTORS(20A,160W)

MOSPEC

MOSPEC

MOSPEC

2N6285

DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

DarlingtonComplementarySiliconPowerTransistors ...designedforgeneral–purposeamplifierandlow–frequencyswitchingapplications. •HighDCCurrentGain@IC=10Adc— hFE=2400(Typ)—2N6282,2N6283,2N6284 hFE=4000(Typ)—2N6285,2N6286,2N6287 •Collector–EmitterSustai

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

2N6285

DARLINGTON COPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

bocaBoca semiconductor corporation

博卡博卡半导体公司

boca

2N6285

Power Transistors

PowerTransistors

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

ETC

2N6285

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION •WithTO-3package •Complementtotype2N6282/6283/6284 •HighDCcurrentgain •DARLINGTON APPLICATIONS •Foruseingeneral-purposeamplifierand low-frequencyswitchingapplications

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC

2N6285

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION •WithTO-3package •Complementtotype2N6282/6283/6284 •HighDCcurrentgain •DARLINGTON APPLICATIONS •Foruseingeneral-purposeamplifierand low-frequencyswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

2N6285

POWER TRANSISTORS TO-3 CASE

PowerTransistors TO-3Case(Continued)

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

Central

2N6285

COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI

2N6285

PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR

PNPDARLINGTONPOWERSILICONTRANSISTOR The2N6285,2N6286and2N6287aremountedinTO-3metalpackage. Theyaredesignedforuseingeneral–purposeamplifierandlow–frequencyswitching applications. ThecomplementaryNPNare2N6282,2N6283,2N6284 CompliancetoRoHS.

COMSET

Comset Semiconductor

COMSET

2N6285

COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS

PowerTransistors TO-3Case(Continued)

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

Central

2N6285

Silicon PNP Power Transistors

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC

2N6285

Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3

SEME-LAB

Seme LAB

SEME-LAB

2N6285

包装:散装 封装/外壳:模具 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:POWER BJT

MicrochipMicrochip Technology Inc.

微芯科技微芯科技股份有限公司

Microchip

晶体管资料

  • 型号:

    2N6285

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-P+Darl+Di

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    贴片封装

  • 极限工作电压:

    60V

  • 最大电流允许值:

    20A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    2

  • 可代换的型号:

    BDX66,BDX68A,BDX68B,BDX68C,MJ4030,MJ11011,TIP645,2SB694,

  • 最大耗散功率:

    160W

  • 放大倍数:

    β>750

  • 图片代号:

    E-44

  • vtest:

    60

  • htest:

    999900

  • atest:

    20

  • wtest:

    160

产品属性

  • 产品编号:

    2N6285

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    3V @ 200mA,20A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    750 @ 10A,3V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    模具

  • 供应商器件封装:

    模具

  • 描述:

    POWER BJT

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多2N6285供应商 更新时间2024-4-26 16:00:00