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2N6285分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

2N6285

参数属性

2N6285 封装/外壳为模具;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:POWER BJT

功能描述

Silicon PNP Power Transistors

封装外壳

模具

文件大小

132.1 Kbytes

页面数量

3

生产厂商

ISC

中文名称

无锡固电

网址

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数据手册

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更新时间

2026-1-29 23:00:00

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晶体管资料

  • 型号:

    2N6285

  • 别名:

    2N6285三极管、2N6285晶体管、2N6285晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-P+Darl+Di

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    贴片封装

  • 极限工作电压:

    60V

  • 最大电流允许值:

    20A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    2

  • 可代换的型号:

    BDX66,BDX68A,BDX68B,BDX68C,MJ4030,MJ11011,TIP645,2SB694,

  • 最大耗散功率:

    160W

  • 放大倍数:

    β>750

  • 图片代号:

    E-44

  • vtest:

    60

  • htest:

    999900

  • atest:

    20

  • wtest:

    160

2N6285规格书详情

DESCRIPTION

• With TO-3 package

• Complement to type 2N6282/6283/6284

• High DC current gain

• DARLINGTON

APPLICATIONS

• For use in general-purpose amplifier and

low-frequency switching applications

产品属性

  • 产品编号:

    2N6285

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    3V @ 200mA,20A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    750 @ 10A,3V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    模具

  • 供应商器件封装:

    模具

  • 描述:

    POWER BJT

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