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2N6294	文件：65.62 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Transistor Darlington Power Amplifier, Switch Description: The 2N6294 silicon NPN Darlington transistor is a TO−66 type case designed for general purpose amplifier, low−frequency switching and hammer driver applications. Features: High DC Current Gain: hFE = 3000 Typ @ IC = 2A Low Collector−Emitter Saturation Voltage: VCE(sat) = 2V 文件：65.62 Kbytes 页数：2 Pages	NTE	NTE
2N6294	文件：205.28 Kbytes Page：2 Pages	DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 2N6294,2N6295 --> NPN 2N6296, 2N6297 --> PNP 文件：205.28 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6294	文件：106.54 Kbytes Page：1 Pages	NPN DARLINGTON TRANSISTOR 2N6294,2N6295 --> NPN 2N6296, 2N6297 --> PNP 文件：106.54 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6294	文件：66.03 Kbytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTONl 2N6294,2N6295 --> NPN 2N6296, 2N6297 --> PNP 文件：66.03 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N6294	文件：51.32 Kbytes Page：1 Pages	Power Transistors Power Transistors TO-66 Case 文件：51.32 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N6294	文件：339.17 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS 文件：339.17 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N6294	文件：127.06 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：127.06 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2N6294	文件：211.99 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：211.99 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N6294	文件：213.63 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：213.63 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N6294	文件：185.27 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：185.27 Kbytes 页数：4 Pages	ISC 无锡固电	ISC

晶体管资料

型号：
2N6294
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
2
可代换的型号：
BD267,BD645,BD697,BD897,BDW23A,BDW63A,FD50C,
最大耗散功率：
50W
放大倍数：
β>750
图片代号：
E-8
vtest：
60
htest：
999900
atest：
4
wtest：
50

产品属性

产品编号：
2N6294
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 40mA，4A
电流 - 集电极截止（最大值）：
500µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
750 @ 2A，3V
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-213AA，TO-66-2
供应商器件封装：
TO-66（TO-213AA）
描述：
POWER BJT

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