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2N6288	文件：193.33 Kbytes Page：2 Pages	MAXIMUM RATINGS, ABSOLUTE-MAXIMUM VALUOS Epitaxial-Base, Silicon NPN and PNP VERSAWATT Transistors 文件：193.33 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6288	文件：297.65 Kbytes Page：3 Pages	COMPLEMENTARY SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORS Epitaxial-Base, Silicon NPN and PNP VERSAWATT Transistors 文件：297.65 Kbytes 页数：3 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6288	文件：95.37 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220 package • Complement to PNP type: 2N6107; 2N6109 ;2N6111 APPLICATIONS • Power amplifier and switching circuits applications 文件：95.37 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N6289	文件：193.33 Kbytes Page：2 Pages	MAXIMUM RATINGS, ABSOLUTE-MAXIMUM VALUOS Epitaxial-Base, Silicon NPN and PNP VERSAWATT Transistors 文件：193.33 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6289	文件：101.31 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIAL-BASE, SILICON N-P-N AND P-N-P VERSAWATT TRANSISTORS Epitaxial-Base, Silicon NPN and PNP VERSAWATT Transistors General-Purpose Medium-Power Types for Switching and Amplifier Applications 文件：101.31 Kbytes 页数：3 Pages	BOCA 博卡	BOCA
2N6289	文件：267.08 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • DC Current Gain- : hFE = 30-150@ IC= 3A • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 30V(Min) • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS • Designed for use in general-purpose amplifier and switching applications 文件：267.08 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N629	文件：87.91 Kbytes Page：1 Pages	GE PNP POWER BJT germanium power transistors 文件：87.91 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N629	文件：76.74 Kbytes Page：1 Pages	germanium power transistors germanium power transistors 文件：76.74 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6290	文件：193.33 Kbytes Page：2 Pages	MAXIMUM RATINGS, ABSOLUTE-MAXIMUM VALUOS Epitaxial-Base, Silicon NPN and PNP VERSAWATT Transistors 文件：193.33 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6290	文件：131.92 Kbytes Page：1 Pages	SI NPN POWER BJT Epitaxial-Base, Silicon NPN and PNP VERSAWATT Transistors 文件：131.92 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI

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晶体管资料

型号：
2N6255
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
甚高频（VHF）_TR_输出极（E）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
36V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
175MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BFQ43,BFS22,BFW46,BLY34,2N3924,3DA1A,
最大耗散功率：
3W
放大倍数：
图片代号：
C-62
vtest：
36
htest：
175000000
atest：
1
wtest：
3

技术参数

Maximum DC Collector Current Range：
0.5 to 2A
Maximum DC Collector Current：
1A
Maximum Collector Emitter Voltage Range：
<20V
Maximum Collector Emitter Voltage：
18V
Maximum Collector Cut-Off Current：
250000nA
Maximum Collector Base Voltage：
36V

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