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2N6052G	文件：137.61 Kbytes Page：5 Pages	Darlington Complementary Silicon Power Transistors Darlington Complementary Silicon Power Transistors This package is designed for general−purpose amplifier and low frequency switching applications. Features • High DC Current Gain — hFE = 3500 (Typ) @ IC = 5.0 Adc • Collector−Emitter Sustaining Voltage — @ 100 mA VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) • M 文件：137.61 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6052_06	文件：149.78 Kbytes Page：7 Pages	Darlington Complementary Silicon Power Transistors 文件：149.78 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6052.	文件：300 bytes Page：1 Pages	2N6052. - 双极晶体管	Multicomp 易络盟	Multicomp
2N6052G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-204AA，TO-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP DARL 100V 12A TO204	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
2N6052
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
12A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
2
可代换的型号：
BDV66A,BDW84C,BDX64B,BDX66B,BDX88C,MJ4032,TIP647,
最大耗散功率：
150W
放大倍数：
β>750
图片代号：
E-44
vtest：
100
htest：
999900
atest：
12
wtest：
150

产品属性

产品编号：
2N6052
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 120mA，12A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
750 @ 6A，3V
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-204AA，TO-3
供应商器件封装：
TO-204（TO-3）
描述：
TRANS PNP DARL 100V 12A TO204

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