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2N6058	文件：190.17 Kbytes Page：6 Pages	DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS Darlington Complementary Silicon Power Transistors . . . designed for general−purpose amplifier and low frequency switching applications. • High DC Current Gain — hFE = 3500 (Typ) @ IC = 5.0 Adc • Collector−Emitter Sustaining Voltage — @ 100 mA VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) — 2N6058 文件：190.17 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6058	文件：195.37 Kbytes Page：4 Pages	DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON-POWER TRANSISTORS DARLINGTON 12 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60-100 VOLTS 150 WATTS 文件：195.37 Kbytes 页数：4 Pages	BOCA 博卡	BOCA
2N6058	文件：495.5 Kbytes Page：2 Pages	SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N6050, 2N6057 series types are complementary silicon Darlington power transistors, manufactured by the epitaxial base process, designed for high gain amplifier and switching applications. 文件：495.5 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N6058	文件：188.54 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTORS(12A,150W) DARLINGTON 12 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60-100 VOLTS 150 WATTS ...designed lor general-purpose power amplifier and low frequency switching applications FEATURES: * Monolithic Construction with Butt-in Base-Emitter Shunt Resistors. * High DC Current Gain - 文件：188.54 Kbytes 页数：4 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
2N6058	文件：223.22 Kbytes Page：5 Pages	POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS The 2N6050, 2N6051 and 2N6052 are silicon epitaxial-base transistors in monolithic Darlington configuration mounted in Jedec TO-3 metal case. They are inteded for use in power linear and low frequency switching applications. The complementary NPN types ar 文件：223.22 Kbytes 页数：5 Pages	COMSET	COMSET
2N6058	文件：347.98 Kbytes Page：8 Pages	Power Transistors Power Transistors 文件：347.98 Kbytes 页数：8 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N6058	文件：272.57 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Built-in Base-Emitter Shunt Resistors ·High DC current gainhFE = 750 (Min) @ IC = 6A ·Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS)= 80V(Min) ·Complement to type 2N6051 APPLICATIONS ·Designed for general purpose amplifier and low frequency switching applications. 文件：272.57 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N6058	文件：65.019 Kbytes Page：2 Pages	NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/502 文件：65.019 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
2N6059	文件：190.17 Kbytes Page：6 Pages	DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS Darlington Complementary Silicon Power Transistors . . . designed for general−purpose amplifier and low frequency switching applications. • High DC Current Gain — hFE = 3500 (Typ) @ IC = 5.0 Adc • Collector−Emitter Sustaining Voltage — @ 100 mA VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) — 2N6058 文件：190.17 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6059	文件：65.019 Kbytes Page：2 Pages	NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/502 文件：65.019 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI

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晶体管资料

型号：
2N60
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
25V
最大电流允许值：
0.2A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
AC122,AC125,AC126,AC151,2N1191,2N1192,2N1193,2N1194,3AX53A,
最大耗散功率：
放大倍数：
β=65
图片代号：
D-9
vtest：
25
htest：
999900
atest：
0.2
wtest：
0

技术参数

Vdss(V)：
600
Vgss(V)：
30
Id(A)：
2
Package：
TO-220/TO-220F/TO-22...

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市星宇佳科技有限公司	2N60	XY/星宇佳	21+	TO-252	72500	自主品牌量大可定	询价
深圳市诚利顺电子科技有限公司	2N60	FSC	25+	TO252	6500	十七年专营原装现货一手货源,样品免费送	询价
深圳市益百分电子有限公司	2N60	FAI	13+	T0252	2500	原装现货价格有优势量大可以发货	询价
深圳市弘为电子有限公司	2N60		24+	原厂封装	5000	原装现货假一罚十	询价
深圳市勤思达科技有限公司	2N60	FAIRCHILD	1215+	TO-220F	150000	全新原装,绝对正品,公司大量现货供应.	询价
深圳市豪迈兴电子有限公司	2N60	MOT	24+	CAN3	8858	公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存!	询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	2N60	东光微		TO-220F	3164	正品原装--自家现货-实单可谈	询价
深圳市一线半导体有限公司	2N60		24+		48234		询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	2N60	UTC	25+	TO-251	5000	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
上海意淼电子科技有限公司	2N60	AAT	23+	TO-220/F	12000	全新原装假一赔十	询价

更多2N60供应商更新时间2026-1-18 9:30:00

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