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2N5886	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP	Microchip 微芯科技	Microchip
2N5886G	文件：94.94 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Silicon High?뭁ower Transistors Complementary silicon high−power transistors are designed for general−purpose power amplifier and switching applications. Features • Low Collector−Emitter Saturation Voltage − VCE(sat) = 1.0 Vdc, (max) at IC = 15 Adc • Low Leakage Current ICEX = 1.0 mAdc (max) at Rated Voltage • Excell 文件：94.94 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N5886G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-204AA，TO-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 80V 25A TO204	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
2N5886
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
25A
最大工作频率：
>4MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
BD368,BDY29,MJ802,2N5686,2N6274,2SD797,3DK209B,
最大耗散功率：
200W
放大倍数：
图片代号：
E-44
vtest：
80
htest：
4000100
atest：
25
wtest：
200

产品属性

产品编号：
2N5886
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
描述：
PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP

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