2N5886中文资料Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch数据手册Central规格书
| 厂商型号 |
2N5886 |
| 参数属性 | 2N5886 包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP |
| 功能描述 | Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch |
| 制造商 | Central Central Semiconductor Corp |
| 中文名称 | 美国中央半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-22 23:00:00 |
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技术参数
- 制造商编号
：2N5886
- 生产厂家
：Central
- Case
：TO-3
- Configuration/ Description
：NPN General Purpose Amplifier/Switch
- Polarity
：NPN
- IC MAX
：25A
- PD MAX
：200W
- VCEO MAX
：80V
- hFE MIN
：20
- hFE MAX
：100
- @VCE
：4V
- VCE(SAT) MAX
：1V
- @IC
：15A
- @IB
：1.5A
- Cob TYP
：-
- Cob MAX
：500pF
- fT TYP
：-
- fT MIN
：4MHz
- NF MAX
：-
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
TO204 |
7350 |
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T |
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MODULE |
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MOT |
24+ |
TO-3 |
10000 |
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ON |
22+ |
TO-220-3 |
50000 |
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