2N5883中文资料25 A, 60 V PNP Bipolar Power Transistor数据手册ONSEMI规格书
2N5883规格书详情
描述 Description
The Power 25A 80 VBipolar NPN Transistor is designed for general-purpose power amplifier and switching applications.
特性 Features
• Low Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat) = 1.0 Vdc, (max) at IC = 15 Adc
• Low Leakage Current ICEX = 1.0 mAdc (max) at Rated Voltage
• Excellent DC Current GainhFE = 20 (min) at IC = 10 Adc
• High Current Gain Bandwidth Product ft = 4.0 MHz (min) at IC = 1.0 Adc
• Pb-Free Packages are Available
技术参数
- 制造商编号
：2N5883
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Polarity
：PNP
- Type
：General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
：1
- IC Cont. (A)
：25
- VCEO Min (V)
：60
- VCBO (V)
：60
- VEBO (V)
：5
- VBE(sat) (V)
：2.5
- VBE(on) (V)
：1.5
- hFE Min
：20
- hFE Max
：100
- fT Min (MHz)
：4
- PTM Max (W)
：200
- Package Type
：TO-204-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
TO204 |
7350 |
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ON/安森美 |
24+ |
TO-3 |
990000 |
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ST/意法 |
20+ |
TO-3 |
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ST/意法 |
23+ |
TO-3 |
30000 |
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ST/意法 |
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TO-3 |
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TO-3 |
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ONSemiconductor |
2003 |
TO-3 |
25 |
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MOT |
24+ |
TO-3 |
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询价 | |||
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询价 |
