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2N5883数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

2N5883

参数属性

2N5883 包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP

功能描述

25 A, 60 V PNP Bipolar Power Transistor

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 19:37:00

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2N5883规格书详情

描述 Description

The Power 25A 80 VBipolar NPN Transistor is designed for general-purpose power amplifier and switching applications.

特性 Features

• Low Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat) = 1.0 Vdc, (max) at IC = 15 Adc
• Low Leakage Current ICEX = 1.0 mAdc (max) at Rated Voltage
• Excellent DC Current GainhFE = 20 (min) at IC = 10 Adc
• High Current Gain Bandwidth Product ft = 4.0 MHz (min) at IC = 1.0 Adc
• Pb-Free Packages are Available

技术参数

  • 制造商编号

    :2N5883

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :PNP

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :1

  • IC Cont. (A)

    :25

  • VCEO Min (V)

    :60

  • VCBO (V)

    :60

  • VEBO (V)

    :5

  • VBE(sat) (V)

    :2.5

  • VBE(on) (V)

    :1.5

  • hFE Min

    :20

  • hFE Max

    :100

  • fT Min (MHz)

    :4

  • PTM Max (W)

    :200

  • Package Type

    :TO-204-2

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