2N5884中文资料25 A, 80 V PNP Bipolar Power Transistor数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

The Power 25A 80 VBipolar NPN Transistor is designed for general-purpose power amplifier and switching applications.

特性 Features

• Low Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat) = 1.0 Vdc, (max) at IC = 15 Adc
• Low Leakage Current ICEX = 1.0 mAdc (max) at Rated Voltage
• Excellent DC Current GainhFE = 20 (min) at IC = 10 Adc
• High Current Gain Bandwidth Product ft = 4.0 MHz (min) at IC = 1.0 Adc
• Pb-Free Packages are Available

简介

2N5884属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由ONSEMI制造生产的2N5884晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。