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2N5885中文资料25 A, 60 V NPN Bipolar Power Transistor数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

2N5885

参数属性

2N5885 包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP

功能描述

25 A, 60 V NPN Bipolar Power Transistor

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2026-2-9 23:00:00

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晶体管资料

  • 型号:

    2N5885

  • 别名:

    2N5885三极管、2N5885晶体管、2N5885晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    60V

  • 最大电流允许值:

    25A

  • 最大工作频率:

    >4MHZ

  • 引脚数:

    2

  • 可代换的型号:

    BD366,BD368,BDY29,MJ802,2N5685,2N6274,3DK209B,

  • 最大耗散功率:

    200W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    E-44

  • vtest:

    60

  • htest:

    4000100

  • atest:

    25

  • wtest:

    200

2N5885规格书详情

描述 Description

The Power 25A 80 VBipolar NPN Transistor is designed for general-purpose power amplifier and switching applications.

特性 Features

• Low Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat) = 1.0 Vdc, (max) at IC = 15 Adc
• Low Leakage Current ICEX = 1.0 mAdc (max) at Rated Voltage
• Excellent DC Current GainhFE = 20 (min) at IC = 10 Adc
• High Current Gain Bandwidth Product ft = 4.0 MHz (min) at IC = 1.0 Adc
• Pb-Free Packages are Available

技术参数

  • 制造商编号

    :2N5885

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :NPN

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :1

  • IC Cont. (A)

    :25

  • VCEO Min (V)

    :60

  • VCBO (V)

    :60

  • VEBO (V)

    :5

  • VBE(sat) (V)

    :2.5

  • VBE(on) (V)

    :1.5

  • hFE Min

    :20

  • hFE Max

    :100

  • fT Min (MHz)

    :4

  • PTM Max (W)

    :200

  • Package Type

    :TO-204-2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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