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2N5657	文件：80.51 Kbytes Page：5 Pages	Plastic NPN Silicon High?뭋oltage Power Transistor 文件：80.51 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N5657	文件：89.27 Kbytes Page：4 Pages	Plastic NPN Silicon High-Voltage Power Transistor 文件：89.27 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N5657G	文件：80.51 Kbytes Page：5 Pages	Plastic NPN Silicon High?뭋oltage Power Transistor 文件：80.51 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N5657G	文件：129.139 Kbytes Page：5 Pages	Plastic NPN Silicon High-Voltage Power Transistors 文件：129.139 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N5655	文件：300 bytes Page：1 Pages	2N5655: High Voltage NPN Bipolar Power Transistor These devices are designed for use in line-operated equipment such as audio output amplifiers; low-current, high-voltage converters; and AC line relays. Excellent DC Current Gain hFE = 30-250 @ IC = 100 mAdc\nCurrent-Gain - Bandwith Product - fT=10MHz (Min) @ IC = 50 mAdc\nPb-Free Packages are Available;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N5657	文件：300 bytes Page：1 Pages	0.5 A，350 V，NPN 双极功率晶体管 These devices are designed for use in line-operated equipment such as audio output amplifiers; low-current, high-voltage converters; and AC line relays. • Excellent DC Current Gain hFE = 30-250 @ IC = 100 mAdc\n• Current-Gain - Bandwith Product - fT=10MHz (Min) @ IC = 50 mAdc\n• Pb-Free Packages are Available;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N5656	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 300V 1A 3-Pin TO-126 Box	NJS 新泽西半导体	NJS
2N5655G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-225AA，TO-126-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 250V 0.5A TO126	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N5657	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-225AA，TO-126-3；包装：剪切带（CT）带盒（TB）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 350V 0.5A SOT32-3	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
2N5657G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-225AA，TO-126-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 350V 0.5A TO126	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
2N5656
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_视频输出（Vi
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
325V
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
>10MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BF462,BF759,MJE56556,3DK305A,
最大耗散功率：
20W
放大倍数：
图片代号：
B-45
vtest：
325
htest：
10000100
atest：
0.5
wtest：
20

技术参数

Maximum Transition Frequency：
10(Min)MHz
Maximum Power Dissipation：
20000mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
6V
Maximum DC Collector Current：
1A
Maximum Collector Emitter Voltage：
300V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
1@10mA@100mA
Maximum Collector Base Voltage：
325V
Material：
Si
Category：
Bipolar Power

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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