2N5655数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF
| 厂商型号 |
2N5655 |
| 参数属性 | 2N5655 封装/外壳为TO-225AA，TO-126-3；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 250V 0.5A TO126 |
| 功能描述 | 2N5655: High Voltage NPN Bipolar Power Transistor |
| 封装外壳 | TO-225AA，TO-126-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-8 23:00:00 |
| 人工找货 | 2N5655价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2N5655规格书详情
描述 Description
These devices are designed for use in line-operated equipment such as audio output amplifiers; low-current, high-voltage converters; and AC line relays.
特性 Features
Excellent DC Current Gain hFE = 30-250 @ IC = 100 mAdc
Current-Gain - Bandwith Product - fT=10MHz (Min) @ IC = 50 mAdc
Pb-Free Packages are Available
简介
2N5655属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的2N5655晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：2N5655
- 生产厂家
：ONSEMI
- Compliance
：Pb-freeHalide free
- Status
： Active
- Description
： High Voltage NPN Bipolar Power Transistor
- Polarity
：NPN
- Type
：General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
：Condition: IC = 100 mAdc
- IC Cont. (A)
：0.5
- VCEO Min (V)
：250
- hFE Min
：Condition: IC = 0.1A
- hFE Max
：Condition: IC = 0.1A
- fT Min (MHz)
：10
- PTM Max (W)
：20
- Package Type
：TO-225-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ISC |
20+ |
TO-126 |
15800 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
ON |
22+ |
TO-220-3 |
50000 |
ON二三极管全系列在售 |
询价 | ||
ISC |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
TO-126 |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
询价 | ||
ON |
22+ |
TO-220-3 |
50000 |
原装正品假一罚十,代理渠道价格优 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
TO-225 |
5000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
询价 | ||
ONSemiconductor |
24+ |
TO-225-3 |
1715 |
询价 | |||
ST |
2025+ |
SOT-32 |
16000 |
原装优势绝对有货 |
询价 |
