2N5639数据手册分立半导体产品的晶体管-JFET规格书PDF
2N5639规格书详情
描述 Description
N 沟道结场效应晶体管，耗尽模式（A 型），适用于斩波器和高速开关应用。
特性 Features
• Low Drain-Source \"ON\" Resistance:RDS(on) = 30Ω for 2N5638RDS(on) = 60Ω for 2N5639
• Low Reverse Transfer Capacitance Crss = 4.0 pF (Max) @ f = 1.0 MHz
• Fast Switching Characteristics tr = 5.0 ns (Max) (2N5638)
• Pb-Free Packages are Available
简介
2N5639属于分立半导体产品的晶体管-JFET。由制造生产的2N5639晶体管 - JFET结栅场效应晶体管 (JFET) 是用作电子控制开关、放大器或电压控制电阻器的器件。在栅极端子与源极端子之间施加适当极性的电势差就会增加电流流动的阻力，这意味着源极端子与漏极端子之间通道中流动的电流会更少。由于电荷流过源极与漏极端子之间的半导体通道，因此 JFET 不需要偏置电流。
技术参数
更多- 产品编号：
2N5639
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - JFET
- 包装：
散装
- FET 类型：
N 通道
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
10pF @ 12V（VGS）
- 工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长体
- 供应商器件封装：
TO-92（TO-226）
- 描述：
JFET N-CH 35V 0.31W TO92
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
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ON |
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TO-92 |
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