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2N5179	文件：165.35 Kbytes Page：5 Pages	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS DESCRIPTION: Silicon NPN transistor, designed for VHF and UHF equipment. Ideal for pre-driver, low noise amplifier, and oscillator applications. Features • Silicon NPN, TO-72 packaged VHF/UHF Transistor • Low Noise, NF = 4.5 dB (max) @ 200 MHz • High Current-Gain-Bandwidth Product 1.4 Ghz (ty 文件：165.35 Kbytes 页数：5 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi
2N5179	文件：47.17 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON PLANAR TRANSISTOR NPN SILICON PLANAR TRANSISTOR Low Noise Tuned Amplifiers. 文件：47.17 Kbytes 页数：2 Pages	boca 博卡	boca
2N5179	文件：61.6 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal NPN Transistors / Dual Transistors Small Signal NPN Transistors, Dual Transistors 文件：61.6 Kbytes 页数：1 Pages	Central	Central
2N5179	文件：450.73 Kbytes Page：2 Pages	NPN - RF Transistor Chip Small Signal Transistor NPN - RF Transistor Chip PROCESS DETAILS Process EPITAXIAL PLANAR Die Size 14.5 x 14.5 MILS Die Thickness 7.1 MILS Base Bonding Pad Area 2.4 x 2.2 MILS Emitter Bondin 文件：450.73 Kbytes 页数：2 Pages	Central	Central
2N5179	文件：184.74 Kbytes Page：5 Pages	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS DESCRIPTION: The 2N5179 is a Silicon NPN transistor, designed for VHF and UHF equipment. It is ideal for pre-driver, low noise amplifier, and oscillator applications. Features • Silicon NPN, TO-72 packaged VHF/UHF Transistor • Low Noise, NF = 4.5 dB (max) @ 200 MHz • High Current-Gain-Bandwid 文件：184.74 Kbytes 页数：5 Pages	ADPOW	ADPOW
2N5179	文件：117.23 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON RF SMALL-SIGNAL TRANSISTOR GENERAL DESCRIPTION 2N 5179 is designed for use in high gain, low-noise amplifier, oscillator and mixer circuits. It is also suitable for UHF converter applications. It features high gain-bandwidth product, low noise and low collector-base time constant. 文件：117.23 Kbytes 页数：2 Pages	MICRO-ELECTRONICS	MICRO-ELECTRONICS
2N5179	文件：127.97 Kbytes Page：1 Pages	General Purpose Diodes General Purpose Diodes 文件：127.97 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N5179	文件：127.97 Kbytes Page：1 Pages	Electrical characterlitics General Purpose Diodes 文件：127.97 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N5179	文件：161.26 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON PLANAR TRANSISTOR General Purpose Diodes 文件：161.26 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N5179	文件：42.3 Kbytes Page：2 Pages	VHF/UHF AMPLIFIER DESCRIPTION The 2N5179 is a silicon planar epitaxial NPN transistor in Jedec TO-72 metal case, intended for low noise tuned-amplifier and converter applications up to 500 MHz. 文件：42.3 Kbytes 页数：2 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

晶体管资料

型号：
2N5172
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
25V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
200MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC108,BC168,BC172,BC183,BC208,BC238,BC383,BC548,BC583,2N2220,2N2221,2N2222,3DG120A,
最大耗散功率：
0.36W
放大倍数：
图片代号：
A-20
vtest：
25
htest：
200000000
atest：
0.1
wtest：
0.36

产品属性

产品编号：
2N5172
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 1mA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 10mA，10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
供应商器件封装：
TO-92-3
描述：
TRANS NPN 25V 0.5A TO92-3

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