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2N5179分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

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厂商型号

2N5179

参数属性

2N5179 封装/外壳为TO-206AF,TO-72-4 金属罐;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 12V 200MHZ TO72

功能描述

General Purpose Diodes

封装外壳

TO-206AF,TO-72-4 金属罐

文件大小

127.97 Kbytes

页面数量

1

生产厂商

NJSEMI New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

中文名称

新泽西半导体 新泽西半导体公司

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更新时间

2025-11-20 10:31:00

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2N5179规格书详情

General Purpose Diodes

产品属性

  • 产品编号:

    2N5179

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    12V

  • 频率 - 跃迁:

    200MHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    4.5dB @ 200MHz

  • 增益:

    20dB

  • 功率 - 最大值:

    300mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    25 @ 3mA,1V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    50mA

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-206AF,TO-72-4 金属罐

  • 供应商器件封装:

    TO-72

  • 描述:

    RF TRANS NPN 12V 200MHZ TO72

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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