2N5179分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2N5179 |
| 参数属性 | 2N5179 封装/外壳为TO-206AF，TO-72-4 金属罐；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 12V 200MHZ TO72 |
| 功能描述 | RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
| 封装外壳 | TO-206AF，TO-72-4 金属罐 |
| 文件大小 |
184.74 Kbytes |
| 页面数量 |
5 页 |
| 生产厂商 | ADPOW |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-20 14:03:00 |
| 人工找货 | 2N5179价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2N5179规格书详情
DESCRIPTION:
The 2N5179 is a Silicon NPN transistor, designed for VHF and UHF equipment. It is ideal for pre-driver, low noise amplifier, and oscillator applications.
特性 Features
• Silicon NPN, TO-72 packaged VHF/UHF Transistor
• Low Noise, NF = 4.5 dB (max) @ 200 MHz
• High Current-Gain-Bandwidth Product 1.4 Ghz (typ) @ 10 mAdc
• Characterized with S-Parameters
产品属性
- 产品编号：
2N5179
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
- 频率 - 跃迁：
200MHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
4.5dB @ 200MHz
- 增益：
20dB
- 功率 - 最大值：
300mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
25 @ 3mA，1V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
50mA
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-206AF，TO-72-4 金属罐
- 供应商器件封装：
TO-72
- 描述：
RF TRANS NPN 12V 200MHZ TO72
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