2N5179中文资料PDF规格书
厂商型号 |
2N5179 |
参数属性 | 2N5179 封装/外壳为TO-206AF,TO-72-4 金属罐;包装为散装;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频;产品描述:RF TRANS NPN 12V 200MHZ TO72 |
功能描述 | NPN SILICON RF SMALL-SIGNAL TRANSISTOR |
文件大小 |
117.23 Kbytes |
页面数量 |
2 页 |
生产厂商 | Micro Electronics |
企业简称 |
MICRO-ELECTRONICS |
中文名称 | Micro Electronics官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-5-27 18:06:00 |
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
2N5179三极管、2N5179晶体管、2N5179晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-NPN
- 性质:
甚高频 (VHF)_超高频/特高频 (UHF)_低噪放大 (
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
20V
- 最大电流允许值:
0.05A
- 最大工作频率:
1.4GHZ
- 引脚数:
4
- 可代换的型号:
BF357,BF377,BF378,BF689,BF763,BFR15,BFT17,BFT66,BFT67,BFW99,2N2857,2N5053,2N5054,3DG82A,
- 最大耗散功率:
0.2W
- 放大倍数:
- 图片代号:
D-13
- vtest:
20
- htest:
1400000000
- atest:
.05
- wtest:
.2
2N5179规格书详情
GENERAL DESCRIPTION
2N 5179 is designed for use in high gain, low-noise amplifier, oscillator and mixer circuits. It is also suitable for UHF converter applications. It features high gain-bandwidth product, low noise and low collector-base time constant.
产品属性
- 产品编号:
2N5179
- 制造商:
Microsemi Corporation
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
12V
- 频率 - 跃迁:
200MHz
- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):
4.5dB @ 200MHz
- 增益:
20dB
- 功率 - 最大值:
300mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
25 @ 3mA,1V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
50mA
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-206AF,TO-72-4 金属罐
- 供应商器件封装:
TO-72
- 描述:
RF TRANS NPN 12V 200MHZ TO72
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
原装仙童 |
1926+ |
TO-92 |
6852 |
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