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2N3906TAR	文件：654.29 Kbytes Page：10 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier Description Thisdeviceisdesignedforgeneral-purposeamplifierandswitchingapplicationsatcollectorcurrentsof10mAto100mA.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N3906TF	文件：654.29 Kbytes Page：10 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier Description Thisdeviceisdesignedforgeneral-purposeamplifierandswitchingapplicationsatcollectorcurrentsof10mAto100mA.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N3906TFR	文件：654.29 Kbytes Page：10 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier Description Thisdeviceisdesignedforgeneral-purposeamplifierandswitchingapplicationsatcollectorcurrentsof10mAto100mA.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N3906U	文件：186.48 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,SWITCHING) GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES ●LowLeakageCurrent :ICEX=-50nA(Max.),IBL=-50nA(Max.) @VCE=-30V,VEB=-3V. ●ExcellentDCCurrentGainLinearity. ●LowSaturationVoltage :VCE(sat)=-0.4V(Max.)@IC=-50mA,IB=-5mA. ●LowCollector	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
2N3906U	文件：21.25 Kbytes Page：1 Pages	USMPACKAGE	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
2N3906U	文件：795.52 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistorsPNPSilicon	FS First Silicon Co., Ltd	FS
2N3906V	文件：422.71 Kbytes Page：1 Pages	VSMPACKAGE GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •LowLeakageCurrent :ICEX=50nA(Max.),IBL=50nA(Max.) @VCE=30V,VEB=3V. •ExcellentDCCurrentGainLinearity. •LowSaturationVoltage :VCE(sat)=0.3V(Max.)@IC=50mA,IB=5mA. •LowCollectorOutputCapacitance	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
G2N3906	文件：206.66 Kbytes Page：1 Pages	TheG2N3906isdesignedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications	ETLE-Tech Electronics LTD 亚历电子亚历电子有限公司	ETL
G2N3906	文件：200.26 Kbytes Page：2 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
H2N3906	文件：37 Kbytes Page：4 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheH2N3906isdesignedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications. AbsoluteMaximumRatings •MaximumTemperatures StorageTemperature.............................................................-55~+150°C JunctionTemperature...........................	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC

产品属性

产品编号：
2N3906-G
制造商：
Comchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 100mA，1V
频率 - 跃迁：
250MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
供应商器件封装：
TO-92
描述：
TRANS PNP 40V 0.2A TO92

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	2N3906-G	Comchip Technology	24+	TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!-	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
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天津市博通航睿技术有限公司	2N3906L	INFINEON	23+	SOT-23	7000		询价

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