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2N3906RLRPG	文件：179.42 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N3906S	文件：63.41 Kbytes Page：1 Pages	SOT-23PACKAGE	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
2N3906S	文件：57.13 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
2N3906S	文件：195.69 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,SWITCHING) GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •LowLeakageCurrent :ICEX=-50nA(Max.),IBL=-50nA(Max.) @VCE=-30V,VEB=-3V. •ExcellentDCCurrentGainLinearity. •LowSaturationVoltage :VCE(sat)=-0.4V(Max.)@IC=-50mA,IB=-5mA. •LowCollectorOutputCapacita	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
2N3906S	文件：296.08 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2N3906S	文件：205.24 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistors	FS First Silicon Co., Ltd	FS
2N3906S-AB	文件：473.89 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistorsPNPSilicon 1.FEATURES •SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage •HighDCCurrentGain,LowCollectortoEmitterSaturationVoltage, QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability,HFProduct. •Generalpurposeamplifierandswitching,Meetthestringentrequirementsofautomotiveappli	FS First Silicon Co., Ltd	FS
2N3906S-AL	文件：474.61 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistorsPNPSilicon 1.FEATURES ●Wedeclarethatthematerialofproductcompliancewith RoHSrequirementsandHalogenFree. ●S-prefixforautomotiveandotherapplicationsrequiring uniquesiteandcontrolchangerequirements;AEC-Q101 qualifiedandPPAPcapable.	FS First Silicon Co., Ltd	FS
2N3906SC	文件：707.9 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •LowLeakageCurrent :ICEX=-50nA(Max.),IBL=-50nA(Max.) @VCE=-30V,VEB=-3V. •ExcellentDCCurrentGainLinearity. •LowSaturationVoltage :VCE(sat)=-0.4V(Max.)@IC=-50mA,IB=-5mA. •Complementaryto2N3904SC.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
2N3906TA	文件：654.29 Kbytes Page：10 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier Description Thisdeviceisdesignedforgeneral-purposeamplifierandswitchingapplicationsatcollectorcurrentsof10mAto100mA.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

产品属性

产品编号：
2N3906-G
制造商：
Comchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 100mA，1V
频率 - 跃迁：
250MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
供应商器件封装：
TO-92
描述：
TRANS PNP 40V 0.2A TO92

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2N3906-G供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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