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2N3906RLRPG

General Purpose Transistors PNP Silicon

文件:81.91 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2N3906RLRPG

General Purpose Transistors

文件:179.42 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2N3906RLRPG

Package:TO-226-3,TO-92-3 长基体(成形引线);包装:卷带(TR)剪切带(CT) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 40V 0.2A TO92

ONSEMI

安森美半导体

2N3906S

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING)

GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. FEATURES • Low Leakage Current : ICEX=-50nA(Max.), IBL=-50nA(Max.) @VCE=-30V, VEB=-3V. • Excellent DC Current Gain Linearity. • Low Saturation Voltage : VCE(sat)=-0.4V(Max.) @IC=-50mA, IB=-5mA. • Low Collector Output Capacita

文件:195.69 Kbytes 页数:2 Pages

KECKEC(Korea Electronics)

开益禧无锡开益禧半导体有限公司

2N3906S

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR

文件:57.13 Kbytes 页数:4 Pages

KECKEC(Korea Electronics)

开益禧无锡开益禧半导体有限公司

2N3906S

SOT-23 PACKAGE

文件:63.41 Kbytes 页数:1 Pages

KECKEC(Korea Electronics)

开益禧无锡开益禧半导体有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    2N3906RLRPG

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    400mV @ 5mA,50mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 10mA,1V

  • 频率 - 跃迁:

    250MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-226-3,TO-92-3 长基体(成形引线)

  • 供应商器件封装:

    TO-92(TO-226)

  • 描述:

    TRANS PNP 40V 0.2A TO92

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多2N3906RLRPG供应商 更新时间2026-1-27 14:46:00