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2N3906V	文件：422.71 Kbytes Page：1 Pages	VSM PACKAGE GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •LowLeakageCurrent :ICEX=50nA(Max.),IBL=50nA(Max.) @VCE=30V,VEB=3V. •ExcellentDCCurrentGainLinearity. •LowSaturationVoltage :VCE(sat)=0.3V(Max.)@IC=50mA,IB=5mA. •LowCollectorOutputCapacitance	KECKEC CORPORATION KEC株式会社
2N3906	文件：145.93 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistors(PNPSilicon) GeneralPurposeTransistors PNPSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
2N3906	文件：46.96 Kbytes Page：8 Pages	PNPswitchingtransistor DESCRIPTION PNPswitchingtransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage.NPNcomplement:2N3904. FEATURES 1.Lowcurrent(max.200mA) 2.Lowvoltage(max.40V). APPLICATIONS 1.High-speedswitchinginindustrialapplications.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦
2N3906	文件：304.45 Kbytes Page：3 Pages	PNPSMALLSIGNALTRANSISTOR	TRSYS Transys Electronics
2N3906	文件：169.46 Kbytes Page：4 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor Features 1)BVCEO>−40V(IC=−1mA) 2)ComplementstheUMT3904/SST3904/MMST3909/2N3904.	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
2N3906	文件：171.48 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconExpitaxialPlanarTransistorforswitchingandamplifierapplications?	SEMTECH Semtech Corporation
2N3906	文件：49.83 Kbytes Page：6 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier Description Thisdeviceisdesignedforgeneral-purposeamplifierandswitchingapplicationsatcollectorcurrentsof10mAto100mA.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
2N3906	文件：113.13 Kbytes Page：3 Pages	SMALLSIGNALTRANSISTORSPNP FEATURES ♦PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistorforswitchingandamplifierapplications. ♦Ascomplementarytype,theNPNtransistor2N3904isrecommended. ♦Onspecialrequest,thistransistorisalsomanufacturedinthepinconfigurationTO-18. ♦Thistransistorisalsoavailableinthe	GE GE Industrial Company
2N3906	文件：191.79 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,SWITCHING) GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •LowLeakageCurrent :ICEX=-50nA(Max.),IBL=-50nA(Max.) @VCE=-30V,VEB=-3V. •ExcellentDCCurrentGainLinearity •LowSaturationVoltage :VCE(sat)=-0.4V(Max.)@IC=-50mA,IB=-5mA. •LowCollectorOutputCa	KECKEC CORPORATION KEC株式会社
2N3906	文件：93.79 Kbytes Page：4 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier Features ●LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ●Capableof600mWofPowerDisspationand200mAIc ●EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ●MoisureSensitivityLevel1 ●ThroughHolePackage ●Marking:Typenumber	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司
2N3906	文件：52.86 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconTransistor(GeneralsmallsignalapplicationSwitchingapplication) Descriptions 1.Generalsmallsignalapplication 2.Switchingapplication Features 1.Lowcollectorsaturationvoltage 2.Collectoroutputcapacitance 3.Complementarypairwith2N3904	AUK AUK
2N3906	文件：99.03 Kbytes Page：2 Pages	Si-EpitaxialPlanarTransistors Si-EpitaxialPlanarTransistors •Powerdissipation625mW •PlasticcaseTO-92(10D3) •Weightapprox.0.18g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedinammopack	DiotecDIOTEC 德欧泰克
2N3906	文件：56.42 Kbytes Page：1 Pages	SmallSignalTransistors SmallSignalTransistors	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体
2N3906	文件：45.96 Kbytes Page：5 Pages	SMALLSIGNALPNPTRANSISTOR SMALLSIGNALPNPTRANSISTOR ■SILICONEPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR ■TO-92PACKAGESUITABLEFORTHROUGH-HOLEPCBASSEMBLY ■THENPNCOMPLEMENTARYTYPEIS2N3904 APPLICATIONS ■WELLSUITABLEFORTVANDHOMEAPPLIANCEEQUIPMENT ■SMALLLOADSWITCHTRANSISTORWITHHIGHGAINANDLOWSATURATIO	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
2N3906	文件：101.93 Kbytes Page：8 Pages	GeneralPurposeTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
2N3906	文件：569.41 Kbytes Page：4 Pages	PNPGeneralPurposeTransistors PNPGeneralPurposeTransistors	WEITRONWEITRON 威堂電子科技
2N3906	文件：81.91 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistorsPNPSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
2N3906	文件：106.24 Kbytes Page：3 Pages	GENERALPURPOSEAPPLIATION GENERALPURPOSEAPPLIATION ■FEATURES Collector-EmitterVoltage:VCEO=40V ComplementarytoUTC2N3904	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
2N3906	文件：98.63 Kbytes Page：6 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
2N3906	文件：157.84 Kbytes Page：4 Pages	PNPGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR VOLTAGE40VoltsPOWER625mWatts FEATURES •PNPepitaxialsilicon,planardesign •Collector-emittervoltageVCE=40V •CollectorcurrentIC=-200mA •Pbfreeproductareavailable:99SnabovecanmeetRoHSenvironmentsubstancedirectiverequest	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司

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更多2N3906V供应商更新时间2024-4-27 11:36:00

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