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2N3906TAR	文件：654.29 Kbytes Page：10 Pages	PNP General Purpose Amplifier Description Thisdeviceisdesignedforgeneral-purposeamplifierandswitchingapplicationsatcollectorcurrentsof10mAto100mA.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N3906TAR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 40V 0.2A TO92-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N3906TF	文件：654.29 Kbytes Page：10 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier Description Thisdeviceisdesignedforgeneral-purposeamplifierandswitchingapplicationsatcollectorcurrentsof10mAto100mA.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N3906TFR	文件：654.29 Kbytes Page：10 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier Description Thisdeviceisdesignedforgeneral-purposeamplifierandswitchingapplicationsatcollectorcurrentsof10mAto100mA.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N3906U	文件：795.52 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistorsPNPSilicon	FS First Silicon Co., Ltd	FS
2N3906U	文件：186.48 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,SWITCHING) GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES ●LowLeakageCurrent :ICEX=-50nA(Max.),IBL=-50nA(Max.) @VCE=-30V,VEB=-3V. ●ExcellentDCCurrentGainLinearity. ●LowSaturationVoltage :VCE(sat)=-0.4V(Max.)@IC=-50mA,IB=-5mA. ●LowCollector	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
2N3906U	文件：21.25 Kbytes Page：1 Pages	USMPACKAGE	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
2N3906V	文件：422.71 Kbytes Page：1 Pages	VSMPACKAGE GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •LowLeakageCurrent :ICEX=50nA(Max.),IBL=50nA(Max.) @VCE=30V,VEB=3V. •ExcellentDCCurrentGainLinearity. •LowSaturationVoltage :VCE(sat)=0.3V(Max.)@IC=50mA,IB=5mA. •LowCollectorOutputCapacitance	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
G2N3906	文件：206.66 Kbytes Page：1 Pages	TheG2N3906isdesignedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications	ETLE-Tech Electronics LTD 亚历电子亚历电子有限公司	ETL
G2N3906	文件：200.26 Kbytes Page：2 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM

产品属性

产品编号：
2N3906TAR
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 5mA，50mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 10mA，1V
频率 - 跃迁：
250MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
供应商器件封装：
TO-92-3
描述：
TRANS PNP 40V 0.2A TO92-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	2N3906TAR	onsemi(安森美)	24+	TO-92-3	2317	原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务	询价
深圳市达恩科技有限公司	2N3906TAR	ONSemiconductor	24+	NA	3252	进口原装正品优势供应	询价
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深圳市纳立科技有限公司	2N3906TAR		三年内		1983	只做原装正品	询价
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更多2N3906TAR供应商更新时间2025-7-16 11:12:00

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