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2N4124G	文件：81.46 Kbytes Page：6 Pages	General Purpose Transistors NPN Silicon 文件：81.46 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N4124G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3 长体；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 25V 0.2A TO92	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
H2N4124	文件：34.7 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The H2N4124 is designed for general purpose switching and amplifier applications. Features • Complementary to H2N4126 • Low Collector to Emitter Saturation Voltage 文件：34.7 Kbytes 页数：3 Pages	HSMC 华昕	HSMC
2N4124	文件：93.55 Kbytes Page：2 Pages	NPN General Purpose Amplifier NPN General Purpose Amplifier This device is designed as a general purpose amplifier and switch. The useful dynamic range extends to 100 mA as a switch and to 100 MHz as an amplifier. 文件：93.55 Kbytes 页数：2 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N4124	文件：31.31 Kbytes Page：1 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR GENERAL PURPOSE TRANSISTOR • Collector-Emitter Voltage: VCEO = 25V • Collector Dissipation: PC (max) = 625mW 文件：31.31 Kbytes 页数：1 Pages	Samsung 三星	Samsung
2N4124	文件：124.23 Kbytes Page：1 Pages	NPN SMALL SIGNAL TRANSISTOR FEATURES For General Purpose Switching and Amplifier Applications Especially Suitable for AF Driver and Low Power Output Stages 文件：124.23 Kbytes 页数：1 Pages	TRSYS Transys Electronics	TRSYS

产品属性

产品编号：
2N4124G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 2mA，1V
频率 - 跃迁：
300MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长体
供应商器件封装：
TO-92（TO-226）
描述：
TRANS NPN 25V 0.2A TO92

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