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H2N3906中文资料PDF规格书

H2N3906
厂商型号

H2N3906

功能描述

PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

文件大小

37 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 H2N3906
企业简称

HSMC

中文名称

华昕官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-3 22:51:00

H2N3906规格书详情

Description

The H2N3906 is designed for general purpose switching and amplifier applications.

Absolute Maximum Ratings

• Maximum Temperatures

Storage Temperature ............................................................. -55 ~ +150 °C

Junction Temperature............................................................. +150 °C Maximum

• Maximum Power Dissipation

Total Power Dissipation (Ta=25°C) ........................................ 625 mW

• Maximum Voltages and Currents (Ta=25°C)

VCBO Collector to Base Voltage........................................... -40 V

VCEO Collector to Emitter Voltage........................................ -40 V

VEBO Emitter to Base Voltage............................................... -5 V

IC Collector Current ............................................................... -200 mA

产品属性

  • 型号:

    H2N3906

  • 制造商:

    HSMC

  • 制造商全称:

    HSMC

  • 功能描述:

    PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
华昕
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