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2N4233A	文件：264.21 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Excellent Safe Operating Area • Low Collector-Emitter Saturation Voltage • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS • Designed for general-purpose power amplifier and switching applications 文件：264.21 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N4233A	文件：264.89 Kbytes Page：2 Pages	MEDIUM-POWER SILICON TRANSISTOR COMPLEMENTARY SILICON MEDIUM-POWER TRANSISTORS ..designed for general-purpose power amplifier and switching applications. FEATURES: * Low Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat)= 0.7 V (Max.) @ lc = 1.5A * Excellent DCCurrent Gain hFE = 25-100 @ lc = 1.5 A * LowLeakage Current- lcex = 文件：264.89 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N4233A	文件：95.36 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARY SILICON MEDIUM-POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON MEDIUM-POWER TRANSISTORS ..designed for general-purpose power amplifier and switching applications. FEATURES: * Low Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat)= 0.7 V (Max.) @ lc = 1.5A * Excellent DCCurrent Gain hFE = 25-100 @ lc = 1.5 A * LowLeakage Current- lcex = 文件：95.36 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N4233A	文件：95.36 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARY SILICON MEDIUM-POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON MEDIUM-POWER TRANSISTORS ..designed for general-purpose power amplifier and switching applications. FEATURES: * Low Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat)= 0.7 V (Max.) @ lc = 1.5A * Excellent DCCurrent Gain hFE = 25-100 @ lc = 1.5 A * LowLeakage Current- lcex = 文件：95.36 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N4233A	文件：196.45 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARY SILICON MEDIUM-POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON MEDIUM-POWER TRANSISTORS ..designed for general-purpose power amplifier and switching applications. FEATURES: * Low Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat)= 0.7 V (Max.) @ lc = 1.5A * Excellent DCCurrent Gain hFE = 25-100 @ lc = 1.5 A * LowLeakage Current- lcex =0. 文件：196.45 Kbytes 页数：4 Pages	boca 博卡	boca
2N4233A	文件：51.32 Kbytes Page：1 Pages	Power Transistors Power Transistors TO-66 Case 文件：51.32 Kbytes 页数：1 Pages	Central	Central
2N4233A	文件：344.67 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 文件：344.67 Kbytes 页数：2 Pages	Central	Central
2N4233A	文件：15.16 Kbytes Page：1 Pages	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66 文件：15.16 Kbytes 页数：1 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
2N4233A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 80V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-66 Sleeve	NJS	NJS
2N4233A	文件：300 bytes Page：1 Pages	三极管	Mospec 统懋	Mospec

晶体管资料

型号：
2N4233A
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
90V
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
>4MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
BD243B,BD539C,BD953,2N3054,3DD67D,
最大耗散功率：
75W
放大倍数：
图片代号：
E-44
vtest：
90
htest：
4000100
atest：
5
wtest：
75

产品属性

产品编号：
2N4233A
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
描述：
PNP TRANSISTOR

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