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2N3906	文件：49.83 Kbytes Page：6 Pages	PNP General Purpose Amplifier Description This device is designed for general-purpose amplifier and switching applications at collector currents of 10 mA to 100 mA. 文件：49.83 Kbytes 页数：6 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
2N3906	文件：145.93 Kbytes Page：6 Pages	General Purpose Transistors(PNP Silicon) General Purpose Transistors PNP Silicon 文件：145.93 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N3906	文件：421.71 Kbytes Page：13 Pages	PNP General-Purpose Amplifier Description This device is designed for general-purpose amplifier and switching applications at collector currents of 10 mA to 100 mA. 文件：421.71 Kbytes 页数：13 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N3906	文件：46.96 Kbytes Page：8 Pages	PNP switching transistor DESCRIPTION PNP switching transistor in a TO-92; SOT54 plastic package. NPN complement: 2N3904. FEATURES 1. Low current (max. 200 mA) 2. Low voltage (max. 40 V). APPLICATIONS 1. High-speed switching in industrial applications. 文件：46.96 Kbytes 页数：8 Pages	PHI PHI	PHI
2N3906	文件：106.24 Kbytes Page：3 Pages	GENERAL PURPOSE APPLIATION GENERAL PURPOSE APPLIATION ■ FEATURES * Collector-Emitter Voltage: VCEO=40V * Complementary to UTC 2N3904 文件：106.24 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
2N3906_V01	文件：421.71 Kbytes Page：13 Pages	PNP General-Purpose Amplifier Description This device is designed for general-purpose amplifier and switching applications at collector currents of 10 mA to 100 mA. 文件：421.71 Kbytes 页数：13 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N3906A	文件：567.41 Kbytes Page：5 Pages	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. FEATURES • Low Leakage Current : ICEX=-50nA(Max.), IBL=-50nA(Max.) @VCE=-30V, VEB=-3V. • Low Saturation Voltage : VCE(sat)=-0.4V(Max.) @IC=-50mA, IB=-5mA. • Low Collector Output Capacitance : Cob=4.5pF(Max.) @VCB=5V. • Co 文件：567.41 Kbytes 页数：5 Pages	KECKEC(Korea Electronics) 开益禧无锡开益禧半导体有限公司	KEC
2N3906-AP	文件：45.96 Kbytes Page：5 Pages	SMALL SIGNAL PNP TRANSISTOR SMALL SIGNAL PNP TRANSISTOR ■ SILICON EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR ■ TO-92 PACKAGE SUITABLE FOR THROUGH-HOLE PCB ASSEMBLY ■ THE NPN COMPLEMENTARY TYPE IS 2N3904 APPLICATIONS ■ WELL SUITABLE FOR TV AND HOME APPLIANCE EQUIPMENT ■ SMALL LOAD SWITCH TRANSISTOR WITH HIGH GAIN AND LOW SATURATIO 文件：45.96 Kbytes 页数：5 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
2N3906BU	文件：421.71 Kbytes Page：13 Pages	丝印：2N3906；Package：TO-923L；PNP General-Purpose Amplifier Description This device is designed for general-purpose amplifier and switching applications at collector currents of 10 mA to 100 mA. 文件：421.71 Kbytes 页数：13 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N3906BU	文件：654.29 Kbytes Page：10 Pages	PNP General Purpose Amplifier Description This device is designed for general-purpose amplifier and switching applications at collector currents of 10 mA to 100 mA. 文件：654.29 Kbytes 页数：10 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD

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晶体管资料

型号：
2N3960
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
高速开关（SS）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
20V
最大电流允许值：
0.03A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
3DG82B,
最大耗散功率：
0.4W
放大倍数：
图片代号：
D-8
vtest：
20
htest：
999900
atest：
0.03
wtest：
0.4

产品属性

产品编号：
2N3960
制造商：
Microsemi Corporation
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 3mA，30mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 10mA，1V
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-206AA，TO-18-3 金属罐
供应商器件封装：
TO-18（TO-206AA）
描述：
TRANS NPN 12V TO18

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更多2N39供应商更新时间2026-4-24 16:30:00

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