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2N3906A	文件：567.41 Kbytes Page：5 Pages	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •LowLeakageCurrent :ICEX=-50nA(Max.),IBL=-50nA(Max.) @VCE=-30V,VEB=-3V. •LowSaturationVoltage :VCE(sat)=-0.4V(Max.)@IC=-50mA,IB=-5mA. •LowCollectorOutputCapacitance :Cob=4.5pF(Max.)@VCB=5V. •Co	KECKEC CORPORATION KEC株式会社
2N3906	文件：145.93 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistors(PNPSilicon) GeneralPurposeTransistors PNPSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
2N3906	文件：46.96 Kbytes Page：8 Pages	PNPswitchingtransistor DESCRIPTION PNPswitchingtransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage.NPNcomplement:2N3904. FEATURES 1.Lowcurrent(max.200mA) 2.Lowvoltage(max.40V). APPLICATIONS 1.High-speedswitchinginindustrialapplications.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦
2N3906	文件：304.45 Kbytes Page：3 Pages	PNPSMALLSIGNALTRANSISTOR	TRSYS Transys Electronics
2N3906	文件：169.46 Kbytes Page：4 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor Features 1)BVCEO>−40V(IC=−1mA) 2)ComplementstheUMT3904/SST3904/MMST3909/2N3904.	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
2N3906	文件：171.48 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconExpitaxialPlanarTransistorforswitchingandamplifierapplications?	SEMTECH Semtech Corporation
2N3906	文件：49.83 Kbytes Page：6 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier Description Thisdeviceisdesignedforgeneral-purposeamplifierandswitchingapplicationsatcollectorcurrentsof10mAto100mA.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
2N3906	文件：113.13 Kbytes Page：3 Pages	SMALLSIGNALTRANSISTORSPNP FEATURES ♦PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistorforswitchingandamplifierapplications. ♦Ascomplementarytype,theNPNtransistor2N3904isrecommended. ♦Onspecialrequest,thistransistorisalsomanufacturedinthepinconfigurationTO-18. ♦Thistransistorisalsoavailableinthe	GE GE Industrial Company
2N3906	文件：191.79 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,SWITCHING) GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •LowLeakageCurrent :ICEX=-50nA(Max.),IBL=-50nA(Max.) @VCE=-30V,VEB=-3V. •ExcellentDCCurrentGainLinearity •LowSaturationVoltage :VCE(sat)=-0.4V(Max.)@IC=-50mA,IB=-5mA. •LowCollectorOutputCa	KECKEC CORPORATION KEC株式会社
2N3906	文件：93.79 Kbytes Page：4 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier Features ●LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ●Capableof600mWofPowerDisspationand200mAIc ●EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ●MoisureSensitivityLevel1 ●ThroughHolePackage ●Marking:Typenumber	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司
2N3906	文件：52.86 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconTransistor(GeneralsmallsignalapplicationSwitchingapplication) Descriptions 1.Generalsmallsignalapplication 2.Switchingapplication Features 1.Lowcollectorsaturationvoltage 2.Collectoroutputcapacitance 3.Complementarypairwith2N3904	AUK AUK
2N3906	文件：99.03 Kbytes Page：2 Pages	Si-EpitaxialPlanarTransistors Si-EpitaxialPlanarTransistors •Powerdissipation625mW •PlasticcaseTO-92(10D3) •Weightapprox.0.18g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedinammopack	DiotecDIOTEC 德欧泰克
2N3906	文件：56.42 Kbytes Page：1 Pages	SmallSignalTransistors SmallSignalTransistors	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体
2N3906	文件：45.96 Kbytes Page：5 Pages	SMALLSIGNALPNPTRANSISTOR SMALLSIGNALPNPTRANSISTOR ■SILICONEPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR ■TO-92PACKAGESUITABLEFORTHROUGH-HOLEPCBASSEMBLY ■THENPNCOMPLEMENTARYTYPEIS2N3904 APPLICATIONS ■WELLSUITABLEFORTVANDHOMEAPPLIANCEEQUIPMENT ■SMALLLOADSWITCHTRANSISTORWITHHIGHGAINANDLOWSATURATIO	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
2N3906	文件：569.41 Kbytes Page：4 Pages	PNPGeneralPurposeTransistors PNPGeneralPurposeTransistors	WEITRONWEITRON 威堂電子科技
2N3906	文件：101.93 Kbytes Page：8 Pages	GeneralPurposeTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
2N3906	文件：81.91 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistorsPNPSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
2N3906	文件：106.24 Kbytes Page：3 Pages	GENERALPURPOSEAPPLIATION GENERALPURPOSEAPPLIATION ■FEATURES Collector-EmitterVoltage:VCEO=40V ComplementarytoUTC2N3904	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
2N3906	文件：98.63 Kbytes Page：6 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
2N3906	文件：157.84 Kbytes Page：4 Pages	PNPGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR VOLTAGE40VoltsPOWER625mWatts FEATURES •PNPepitaxialsilicon,planardesign •Collector-emittervoltageVCE=40V •CollectorcurrentIC=-200mA •Pbfreeproductareavailable:99SnabovecanmeetRoHSenvironmentsubstancedirectiverequest	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司

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详细参数

型号：
2N3906A
制造商：
Diodes Incorporated
制造商：
Motorola Inc
制造商：
Harris Corporation
功能描述：
Bipolar Junction Transistor, PNP Type, TO-92
制造商：
Motorola Inc
制造商：
National Semiconductor Corporation
制造商：
Vishay Dale

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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