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2N3902	文件：158.3 Kbytes Page：4 Pages	HIGH VOLTAGE NPN SILICON TRANSISTORS HIGH VOLTAGE NPN SILICON TRANSISTORS 3.5 AMPERE POWER TRANSISTORS NPN SILICON 400 VOLTS 100 WATTS 文件：158.3 Kbytes 页数：4 Pages	BOCA 博卡	BOCA
2N3902	文件：501.67 Kbytes Page：4 Pages	NPN High Power Silicon Transistors Features • Available in JAN, JANTX, JANTXV per MIL-PRF-19500/371 • TO-3 (TO-204AA) Package 文件：501.67 Kbytes 页数：4 Pages	MA-COM	MA-COM
2N3902	文件：260.23 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Excellent Safe Operating Area ·Low Collector-Emitter Saturation Voltage ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS ·Designed for general-purpose switching and amplifier applications 文件：260.23 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N3902	文件：95.29 Kbytes Page：2 Pages	NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR 文件：95.29 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N3902	文件：79.58 Kbytes Page：1 Pages	SI NPN POWER BJT, I(C) = 2.5A TO 4.9A NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR 文件：79.58 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N3902	文件：15.51 Kbytes Page：1 Pages	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package. Bipolar NPN Device. VCEO = 400V IC = 2.5A 文件：15.51 Kbytes 页数：1 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
2N3903	文件：41.54 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and amplifier applications. As complementary types the PNP transistors 2N3905 and 2N3906 are recommended. On special request, these transistors can be manufactured in different pin configurations. 文件：41.54 Kbytes 页数：3 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2N3903	文件：439.49 Kbytes Page：1 Pages	Amplifiers & Switches Amplifiers & Switches Bipolar: General Purpose 文件：439.49 Kbytes 页数：1 Pages	AMMSEMI	AMMSEMI
2N3903	文件：106.09 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS 文件：106.09 Kbytes 页数：2 Pages	MICRO-ELECTRONICS	MICRO-ELECTRONICS
2N3903	文件：166.32 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon Expitaxial Planar Transistor for switching and amplifier applications 文件：166.32 Kbytes 页数：3 Pages	SEMTECH 先之科	SEMTECH

晶体管资料

型号：
2N3960
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
高速开关（SS）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
20V
最大电流允许值：
0.03A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
3DG82B,
最大耗散功率：
0.4W
放大倍数：
图片代号：
D-8
vtest：
20
htest：
999900
atest：
0.03
wtest：
0.4

产品属性

产品编号：
2N3960
制造商：
Microsemi Corporation
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 3mA，30mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 10mA，1V
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-206AA，TO-18-3 金属罐
供应商器件封装：
TO-18（TO-206AA）
描述：
TRANS NPN 12V TO18

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