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2N3903RLRM	文件：98.77 Kbytes Page：8 Pages	General Purpose Transistors(NPN Silicon) General Purpose Transistors NPN Silicon Features • Pb−Free Packages are Available* 文件：98.77 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N3904	文件：98.77 Kbytes Page：8 Pages	General Purpose Transistors(NPN Silicon) General Purpose Transistors NPN Silicon Features • Pb−Free Packages are Available* 文件：98.77 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N3904	文件：329.69 Kbytes Page：9 Pages	NPN General - Purpose Amplifier Description This device is designed as a general−purpose amplifier and switch. The useful dynamic range extends to 100 mA as a switch and to 100 MHz as an amplifier. 文件：329.69 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N3904	文件：236.45 Kbytes Page：10 Pages	General Purpose Transistors Features • Pb−Free Packages are Available* 文件：236.45 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N3904	文件：45.55 Kbytes Page：8 Pages	NPN switching transistor NPN switching transistor in a TO-92; SOT54 plastic package. PNP complement: 2N3906. 1. Low current (max. 200 mA) 2. Low voltage (max. 40 V). 文件：45.55 Kbytes 页数：8 Pages	PHI PHI	PHI
2N3904	文件：47.71 Kbytes Page：3 Pages	NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER FEATURES * Collector-Emitter Voltage: VCEO=40V * Collector Dissipation: PC(MAX)=625mW * Complementary to 2N3906 文件：47.71 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
2N3904	文件：98.74 Kbytes Page：2 Pages	Si-Epitaxial PlanarTransistors NPN Si-Epitaxial PlanarTransistors • Power dissipation 625 mW • Plastic case TO-92 • Weight approx. 0.18 g • Plastic material has UL classification 94V-0 • Standard packaging taped in ammo pack 文件：98.74 Kbytes 页数：2 Pages	DIOTEC 德欧泰克	DIOTEC
2N3904	文件：96.9 Kbytes Page：2 Pages	Si-Epitaxial-Planar Switching Transistors NPN Si-Epitaxial PlanarTransistors • Power dissipation 625 mW • Plastic case TO-92 • Weight approx. 0.18 g • Plastic material has UL classification 94V-0 • Standard packaging taped in ammo pack 文件：96.9 Kbytes 页数：2 Pages	DIOTEC 德欧泰克	DIOTEC
2N3904	文件：64.43 Kbytes Page：7 Pages	NPN General Purpose Amplifier Description This device is designed as a general-purpose amplifier and switch. The useful dynamic range extends to 100 mA as a switch and to 100 MHz as an amplifier. 文件：64.43 Kbytes 页数：7 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
2N3904	文件：464.96 Kbytes Page：13 Pages	NPN General-Purpose Amplifier Description This device is designed as a general-purpose amplifier and switch. The useful dynamic range extends to 100 mA as a switch and to 100 MHz as an amplifier 文件：464.96 Kbytes 页数：13 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD

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晶体管资料

型号：
2N3960
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
高速开关（SS）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
20V
最大电流允许值：
0.03A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
3DG82B,
最大耗散功率：
0.4W
放大倍数：
图片代号：
D-8
vtest：
20
htest：
999900
atest：
0.03
wtest：
0.4

产品属性

产品编号：
2N3960
制造商：
Microsemi Corporation
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 3mA，30mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 10mA，1V
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-206AA，TO-18-3 金属罐
供应商器件封装：
TO-18（TO-206AA）
描述：
TRANS NPN 12V TO18

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