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2N3771	文件：80.85 Kbytes Page：5 Pages	High Power NPN Silicon Power Transistors These devices are designed for linear amplifiers, series pass regulators, and inductive switching applications. Features • Forward Biased Second Breakdown Current Capability IS/b = 3.75 Adc @ VCE = 40 Vdc − 2N3771 = 2.5 Adc @ VCE = 60 Vdc − 2N3772 • Pb−Free Packages are Available 文件：80.85 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N3771	文件：138.85 Kbytes Page：3 Pages	HIGH POWER NPN SILICON POWER TRANSISTORS 20 AND 30 AMPERE NPN SILICON POWER TRANSISTORS 40 and 60 VOLTS 150 WATTS 文件：138.85 Kbytes 页数：3 Pages	BOCA 博卡	BOCA
2N3771	文件：82.5 Kbytes Page：1 Pages	NPN POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N3771, 2N3772 types are silicon NPN silicon power transistors manufactured by the epitaxial base process designed for high power amplifier and switchign applications. 文件：82.5 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N3771	文件：132.38 Kbytes Page：3 Pages	POWER TRANSISTORS(150W) 20 AND 30 AMPERE NPN SILICON POWER TRANSISTORS 40 and 60 VOLTS 150 WATTS 文件：132.38 Kbytes 页数：3 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
2N3771	文件：2.30786 Mbytes Page：5 Pages	High Power Silicon Power Transistor VCEO 60V, IC 20A, 150W, TO-3 Features Forward Biased Second Breakdown Current Capability 2N3772 -- Is/b = 2.5 A DC @ V CE = 60 V DC APPLICATIONS: Linear amplifiers, series pass regulators, and inductive switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C) Description Silicon High Power Transistor, NPN, 60V, 20A 文件：2.30786 Mbytes 页数：5 Pages	MULTICOMP 易络盟	MULTICOMP
2N3771	文件：347.98 Kbytes Page：8 Pages	Power Transistors Power Transistors 文件：347.98 Kbytes 页数：8 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N3771	文件：47.96 Kbytes Page：1 Pages	NPN PLANAR SILICON TRANSISTOR(AUDIO POWER AMPLIFIER DC TO DC CONVERTER) AUDIO POWER AMPLIFIER DC TO DC CONVERTER • High Current Capability • High Power Dissipation 文件：47.96 Kbytes 页数：1 Pages	WINGS 永盛电子	WINGS
2N3771	文件：204.37 Kbytes Page：6 Pages	POWER TRANSISTORS (NPN SILICON) These devices are designed for linear amplifiers, series pass regulators, and inductive switching applications. Features • Forward Biased Second Breakdown Current Capability IS/b = 3.75 Adc @ VCE = 40 Vdc − 2N3771 = 2.5 Adc @ VCE = 60 Vdc − 2N3772 • Pb−Free Packages are Available 文件：204.37 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N3771G	文件：80.85 Kbytes Page：5 Pages	High Power NPN Silicon Power Transistors These devices are designed for linear amplifiers, series pass regulators, and inductive switching applications. Features • Forward Biased Second Breakdown Current Capability IS/b = 3.75 Adc @ VCE = 40 Vdc − 2N3771 = 2.5 Adc @ VCE = 60 Vdc − 2N3772 • Pb−Free Packages are Available 文件：80.85 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N3772	文件：80.85 Kbytes Page：5 Pages	High Power NPN Silicon Power Transistors These devices are designed for linear amplifiers, series pass regulators, and inductive switching applications. Features • Forward Biased Second Breakdown Current Capability IS/b = 3.75 Adc @ VCE = 40 Vdc − 2N3771 = 2.5 Adc @ VCE = 60 Vdc − 2N3772 • Pb−Free Packages are Available 文件：80.85 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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晶体管资料

型号：
2N3700
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
140V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
200MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BSS43,BSS59,BSW68,2SC3228,2SC2383,2N2990,3DK204C,
最大耗散功率：
0.5W
放大倍数：
β>100
图片代号：
D-8
vtest：
140
htest：
200000000
atest：
1
wtest：
0.5

产品属性

产品编号：
2N3700
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
剪切带（CT）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
10nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 150mA，10V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-206AA，TO-18-3 金属罐
供应商器件封装：
TO-18
描述：
TRANS NPN 80V 1A TO18

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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